این سایت در حال حاضر پشتیبانی نمی شود و امکان دارد داده های نشریات بروز نباشند
International Journal of Nanoscience and Nanotechnology (IJNN)، جلد ۱۴، شماره ۴، صفحات ۲۷۷-۲۸۸
عنوان فارسی
چکیده فارسی مقاله
کلیدواژه‌های فارسی مقاله
عنوان انگلیسی Dynamic Simulation of CNTFET-Based Digital Circuits
چکیده انگلیسی مقاله    In this paper we propose a simulation study to carry out dynamic analysis of CNTFET-based digital circuit, introducing in the semi-empirical compact model for CNTFETs, already proposed by us, both the quantum capacitance effects and the sub-threshold currents. To verify the validity of the obtained results, a comparison with Wong model was carried out. Our model may be easily implemented both in SPICE and in Verilog-A, obtaining, in this last case, the development time in writing the model shorter, the simulation run time much shorter and the software much more concise and clear than Wong model.
کلیدواژه‌های انگلیسی مقاله CNTFET, Digital Design, Dynamic Analysis
نویسندگان مقاله R. Marani |
Institute of Intelligent Industrial Technologies and Systems for Advanced Manufacturing (STIIMA), National Research Council of Italy.

A. G. Perri |
Electronic Devices Laboratory, Department of Electrical and Information Engineering, Polytechnic University of Bari, Italy.

نشانی اینترنتی http://www.ijnnonline.net/article_33275_c02693248cbc564fee87be88408c1d64.pdf
فایل مقاله اشکال در دسترسی به فایل - ./files/site1/rds_journals/423/article-423-1065100.pdf
کد مقاله (doi)
زبان مقاله منتشر شده en
موضوعات مقاله منتشر شده
نوع مقاله منتشر شده
برگشت به: صفحه اول پایگاه   |   نسخه مرتبط   |   نشریه مرتبط   |   فهرست نشریات