این سایت در حال حاضر پشتیبانی نمی شود و امکان دارد داده های نشریات بروز نباشند
International Journal of Nanoscience and Nanotechnology (IJNN)، جلد ۱۲، شماره ۱، صفحات ۴۵-۵۳
عنوان فارسی
چکیده فارسی مقاله
کلیدواژه‌های فارسی مقاله
عنوان انگلیسی Energy Levels of InGaAs/GaAs Quantum Dot Lasers with Different Sizes
چکیده انگلیسی مقاله In this paper, we have studied the strain, band-edge, and energy levels of cubic InGaAs quantum dots (QDs) surrounded by GaAs. It is shown that overall strain value is larger in InGaAs-GaAs interfaces, as well as in smaller QDs. Also, it is proved that conduction and valence band-edges and electron-hole levels are size dependent; larger QD sizes appeared to result in the lower recombination energies. Moreover, more number of energy levels separate from the continuum states of bulk GaAs and come down into the QD separate levels. In addition, we show that change of band gap and energy level by size is not linear, i.e., band gap and energy level in smaller QDs are more sensitive to QD size. Our results coincide with former similar researches.
کلیدواژه‌های انگلیسی مقاله
نویسندگان مقاله e رجایی |
department of physics, faculty of science, university of guilan, rasht, i.r.iran
سازمان اصلی تایید شده: دانشگاه گیلان (Guilan university)

m a برجی | a borji
department of physics, faculty of science, university of guilan, rasht, i.r.iran
سازمان اصلی تایید شده: دانشگاه گیلان (Guilan university)

نشانی اینترنتی http://www.ijnnonline.net/article_19219_721261e727ad54726dfb6ed3a2db00ec.pdf
فایل مقاله فایلی برای مقاله ذخیره نشده است
کد مقاله (doi)
زبان مقاله منتشر شده en
موضوعات مقاله منتشر شده
نوع مقاله منتشر شده
برگشت به: صفحه اول پایگاه   |   نسخه مرتبط   |   نشریه مرتبط   |   فهرست نشریات