این سایت در حال حاضر پشتیبانی نمی شود و امکان دارد داده های نشریات بروز نباشند
International Journal of Nanoscience and Nanotechnology (IJNN)، جلد ۱۰، شماره ۴، صفحات ۲۲۳-۲۳۶
عنوان فارسی
چکیده فارسی مقاله
کلیدواژه‌های فارسی مقاله
عنوان انگلیسی Modeling of Manufacturing of Field-Effect Heterotransistors without P-n-junctions to Optimize Decreasing their Dimensions
چکیده انگلیسی مقاله It has been recently shown that manufacturing p-n-junctions, field-effect and bipolar transistors, thyristors in a multilayer structure by diffusion or ion implantation with the optimization of dopant and/or radiation defects leads to increase the sharpness of p-n-junctions (both single p-n-junctions and p-n-junctions framework their system). Due to the optimization, one can also obtain increasing of homogeneity of dopant in doped area. In this paper, we consider manufacturing of a field-effect heterotransistor without p-njunction. Framework the approach of manufacturing, we consider a heterostructure with specific configuration, doping required parts of the heterostructure by dopant diffusion or by ion implantation and optimization of annealing of dopant and/or radiation defects. The optimization gives us possibility to decrease dimensions of field-effect transistors. We introduce an analytical approach to model technological processes without crosslinking concentrations of dopant and radiation defects on interfaces between layers of heterostructure.
کلیدواژه‌های انگلیسی مقاله
نویسندگان مقاله عنایت اله pankratov | e l
1. nizhny novgorod state university, 23 gagarin avenue, nizhny novgorod, 603950, russia 3. nizhny novgorod academy of the ministry of internal affairs of russia, 3 ankudinovskoe shosse, nizhny novgorod, 603950, russia

عزت الله bulaeva | e a
1. nizhny novgorod state university, 23 gagarin avenue, nizhny novgorod, 603950, russia 2. nizhny novgorod state university of architecture and civil engineering, 65 il amp;amp; 039;insky street, nizhny novgorod, 603950, russia

نشانی اینترنتی http://www.ijnnonline.net/article_11018_c624015ba82d807d2d93ff9b5317031f.pdf
فایل مقاله فایلی برای مقاله ذخیره نشده است
کد مقاله (doi)
زبان مقاله منتشر شده en
موضوعات مقاله منتشر شده
نوع مقاله منتشر شده
برگشت به: صفحه اول پایگاه   |   نسخه مرتبط   |   نشریه مرتبط   |   فهرست نشریات