این سایت در حال حاضر پشتیبانی نمی شود و امکان دارد داده های نشریات بروز نباشند
International Journal of Nanoscience and Nanotechnology (IJNN)، جلد ۳، شماره ۱، صفحات ۴۵-۵۲
عنوان فارسی
چکیده فارسی مقاله
کلیدواژه‌های فارسی مقاله
عنوان انگلیسی Structural and optical properties of n- type porous silicon– effect of etching time
چکیده انگلیسی مقاله Porous silicon layers have been prepared from n-type silicon wafers of (100) orientation. SEM, FTIR and PL have been used to characterize the morphological and optical properties of porous silicon. The influence of varying etching time in the anodizing solution, on structural and optical properties of porous silicon has been investigated. It is observed that pore size increases with etching time and attain maximum for 20 minutes and then decreases. The PL spectrum peak shifts towards the higher energy side, which supports the quantum confinement effect in porous silicon. The FTIR shows that the Si-Hn peaks are observed at the surface of the PS layer and these chemical species also give raise the PL in PS.
کلیدواژه‌های انگلیسی مقاله
نویسندگان مقاله n jeyakumaran |
department of physics, vhnsn college, virudhunagar – 626001, tamilnadu, india.

b natarajan |
department of physics, sethu institute of technology, kariapattii – 626106, tamilnadu, india

s ramamurthy |
department of physics, gandhigram rural university, gandhigram – 624302, tamilnadu, india

v vasu |
department of physics, madurai kamaraj university college, madurai – 625 002, tamilnadu, india

نشانی اینترنتی http://www.ijnnonline.net/article_4004_1220d4905dc4039b93b28b55e61e5ed9.pdf
فایل مقاله فایلی برای مقاله ذخیره نشده است
کد مقاله (doi)
زبان مقاله منتشر شده en
موضوعات مقاله منتشر شده
نوع مقاله منتشر شده
برگشت به: صفحه اول پایگاه   |   نسخه مرتبط   |   نشریه مرتبط   |   فهرست نشریات