این سایت در حال حاضر پشتیبانی نمی شود و امکان دارد داده های نشریات بروز نباشند
Iranian Journal of Electrical and Electronic Engineering، جلد ۱۰، شماره ۱، صفحات ۳۸-۴۴
عنوان فارسی
چکیده فارسی مقاله
کلیدواژه‌های فارسی مقاله
عنوان انگلیسی A New Low-Voltage, Low-Power and High-Slew Rate CMOS Unity-Gain Buffer
چکیده انگلیسی مقاله Class-AB circuits, which are able to deal with currents several orders of magnitude larger than their quiescent current, are good candidates for low-power and high slew-rate analog design. This paper presents a novel topology of a class AB flipped voltage follower (FVF) that has better slew rate and the same power consumption as the conventional class-AB FVF buffer previously presented in literature. It is thus suitable for low-voltage and low-power stages requiring low bias currents. These buffers have been simulated using 0.5µm CMOS Technology models provided by IBM. The buffer consumes 20µA from a 0.9V supply and has a bandwidth of 50MHz with a 18pF load. It has a slew rate of 9.8V/µs and power consumption of 42µw
کلیدواژه‌های انگلیسی مقاله
نویسندگان مقاله m پیری | m. piry
tehran-shahid rajaee teacher training university

سازمان اصلی تایید شده: دانشگاه تربیت دبیر شهید رجایی (Shahid rajaee teacher training university)

m خانجانی معاف | m khanjani moaf
tehran-shahid rajaee teacher training university

سازمان اصلی تایید شده: دانشگاه تربیت دبیر شهید رجایی (Shahid rajaee teacher training university)

p امیری | p. amiri
tehran-shahid rajaee teacher training university

سازمان اصلی تایید شده: دانشگاه تربیت دبیر شهید رجایی (Shahid rajaee teacher training university)

نشانی اینترنتی http://ijeee.iust.ac.ir/browse.php?a_code=A-10-751-1&slc_lang=en&sid=en
فایل مقاله فایلی برای مقاله ذخیره نشده است
کد مقاله (doi)
زبان مقاله منتشر شده en
موضوعات مقاله منتشر شده 2-Microelectronics
نوع مقاله منتشر شده Research Paper
برگشت به: صفحه اول پایگاه   |   نسخه مرتبط   |   نشریه مرتبط   |   فهرست نشریات