این سایت در حال حاضر پشتیبانی نمی شود و امکان دارد داده های نشریات بروز نباشند
Iranian Journal of Electrical and Electronic Engineering، جلد ۸، شماره ۱، صفحات ۴۵-۵۴
عنوان فارسی
چکیده فارسی مقاله
کلیدواژه‌های فارسی مقاله
عنوان انگلیسی Nonlinear Modeling and Investigating the Nonlinear Effects on Frequency Response of Silicon Bulk-mode Ring Resonator
چکیده انگلیسی مقاله This paper presents a nonlinear analytical model for micromechanical silicon ring resonators with bulk-mode vibrations. A distributed element model has been developed to describe the dynamic behavior of the micromechanical ring resonator. This model shows the nonlinear effects in a silicon ring resonator focusing on the effect of large amplitudes around the resonance frequency, material and electrical nonlinearities. Through the combination of geometrical and material nonlinearities, closed-form expressions for third-order nonlinearity in mechanical stiffness of bulk-mode ring resonators are obtained. Using the perturbation method and the method of harmonic balance, the expressions for describing the effect of nonlinearities on the resonance frequency and stability are derived. The results, which show the effect of varying the AC drive voltage, initial gap, DC applied voltage and the quality factor on the frequency response and resonant frequencies, are discussed in detail. The nonlinear model introduces an appropriate method in the field of bulk-mode ring resonator design for achieving sufficient power handling and low motional resistance.
کلیدواژه‌های انگلیسی مقاله
نویسندگان مقاله a بیجاری | a. bijari
of electrical engineering, faculty of engineering, ferdowsi university of mashhad fum , 91775-1111, iran.

سازمان اصلی تایید شده: دانشگاه فردوسی (Ferdowsi university)

سید حسین کشمیری | s h keshmiri
of electrical engineering, faculty of engineering, ferdowsi university of mashhad fum , 91775-1111, iran.

سازمان اصلی تایید شده: دانشگاه فردوسی (Ferdowsi university)

w wanburee | w. wanburee
school of electrical engineering, institute of engineering, suranaree university of technology sut , nakhon ratchasima 30000, thailand.
نشانی اینترنتی http://ijeee.iust.ac.ir/browse.php?a_code=A-10-612-1&slc_lang=en&sid=en
فایل مقاله دریافت فایل مقاله
کد مقاله (doi)
زبان مقاله منتشر شده en
موضوعات مقاله منتشر شده 2-Semiconductor Devices
نوع مقاله منتشر شده Research Paper
برگشت به: صفحه اول پایگاه   |   نسخه مرتبط   |   نشریه مرتبط   |   فهرست نشریات