این سایت در حال حاضر پشتیبانی نمی شود و امکان دارد داده های نشریات بروز نباشند
Iranian Journal of Electrical and Electronic Engineering، جلد ۷، شماره ۲، صفحات ۱۱۲-۱۲۱
عنوان فارسی
چکیده فارسی مقاله
کلیدواژه‌های فارسی مقاله
عنوان انگلیسی A Novel Hybrid Nano Scale MOSFET Structure for Low Leak Application
چکیده انگلیسی مقاله In this paper, novel hybrid MOSFET(HMOS) structure has been proposed to reduce the gate leakage current drastically. This novel hybrid MOSFET (HMOS) uses source/drain-to-gate non-overlap region in combination with high-K layer/interfacial oxide as gate stack. The extended S/D in the non-overlap region is induced by fringing gate electric field through the high-k dielectric spacer. The gate leakage behaviour of HMOS has been investigated with the help of compact analytical model and Sentaurus Simulation. The results so obtained show good agreement between model and simulation data. It is found that HMOS structure has reduced the gate leakage current to great extent as compared to conventional overlapped MOSFET structure. Further, the proposed structure had demonstrated improved on current, off current, subthreshold slope and DIBL characteristic.
کلیدواژه‌های انگلیسی مقاله
نویسندگان مقاله a رعنا | a. rana
e amp;amp;ced, nit hamirpur, india


n chand | n. chand
csed, nit hamirpur, india


v kapoor | v. kapoor
e amp;amp;ced, nit hamirpur, india
نشانی اینترنتی http://ijeee.iust.ac.ir/browse.php?a_code=A-10-411-1&slc_lang=en&sid=en
فایل مقاله فایلی برای مقاله ذخیره نشده است
کد مقاله (doi)
زبان مقاله منتشر شده en
موضوعات مقاله منتشر شده 2-Semiconductor Devices
نوع مقاله منتشر شده Research Paper
برگشت به: صفحه اول پایگاه   |   نسخه مرتبط   |   نشریه مرتبط   |   فهرست نشریات