این سایت در حال حاضر پشتیبانی نمی شود و امکان دارد داده های نشریات بروز نباشند
Iranian Journal of Electrical and Electronic Engineering، جلد ۶، شماره ۲، صفحات ۷۰-۷۶
عنوان فارسی
چکیده فارسی مقاله
کلیدواژه‌های فارسی مقاله
عنوان انگلیسی Application of Neural Space Mapping for Modeling Ballistic Carbon Nanotube Transistors
چکیده انگلیسی مقاله In this paper, using the neural space mapping (NSM) concept, we present a SPICE-compatible modeling technique to modify the conventional MOSFET equations, to be suitable for ballistic carbon nanotube transistors (CNTTs). We used the NSM concept in order to correct conventional MOSFET equations so that they could be used for carbon nanotube transistors. To demonstrate the accuracy of our model, we have compared our results with those obtained by using open-source software known as FETToy. This comparison shows that the RMS errors in our calculated IDS, under various conditions, are smaller than the RMS errors in IDS values calculated by the existing analytical models published by others.
کلیدواژه‌های انگلیسی مقاله
نویسندگان مقاله r یوسفی | r. yousefi


محمدکاظم مروج فرشی | m k moravvej farshi


k ثقفی | k. saghafi


نشانی اینترنتی http://ijeee.iust.ac.ir/browse.php?a_code=A-10-61-4&slc_lang=en&sid=en
فایل مقاله فایلی برای مقاله ذخیره نشده است
کد مقاله (doi)
زبان مقاله منتشر شده en
موضوعات مقاله منتشر شده 2-Quantum Electronics
نوع مقاله منتشر شده Research Paper
برگشت به: صفحه اول پایگاه   |   نسخه مرتبط   |   نشریه مرتبط   |   فهرست نشریات