این سایت در حال حاضر پشتیبانی نمی شود و امکان دارد داده های نشریات بروز نباشند
Iranian Journal of Electrical and Electronic Engineering، جلد ۶، شماره ۲، صفحات ۷۷-۸۳
عنوان فارسی Natural Frequencies, Pull-in Voltage, Retrograde Channel, Resonant Suspended Gate (RSG) MOSFET.
چکیده فارسی مقاله
کلیدواژه‌های فارسی مقاله
عنوان انگلیسی Design of a Resonant Suspended Gate MOSFET with Retrograde Channel Doping
چکیده انگلیسی مقاله High Q frequency reference devices are essential components in many Integrated circuits. This paper will focus on the Resonant Suspended Gate (RSG) MOSFET. The gate in this structure has been designed to resonate at 38.4MHz. The MOSFET in this device has a retrograde channel to achieve high output current. For this purpose, abrupt retrograde channel and Gaussian retrograde channels have been investigated.
کلیدواژه‌های انگلیسی مقاله
نویسندگان مقاله m فتحی پور | m. fathipour


محمدحسین رفان | m h refan


سید محمد ابراهیمی | s m ebrahimi


نشانی اینترنتی http://ijeee.iust.ac.ir/browse.php?a_code=A-10-222-2&slc_lang=en&sid=en
فایل مقاله فایلی برای مقاله ذخیره نشده است
کد مقاله (doi)
زبان مقاله منتشر شده fa
موضوعات مقاله منتشر شده 2-Electronic Devices
نوع مقاله منتشر شده Research Paper
برگشت به: صفحه اول پایگاه   |   نسخه مرتبط   |   نشریه مرتبط   |   فهرست نشریات