این سایت در حال حاضر پشتیبانی نمی شود و امکان دارد داده های نشریات بروز نباشند
Iranian Journal of Mechanical Engineering Transactions of the ISME، جلد ۱۱، شماره ۲، صفحات ۵-۱۴
عنوان فارسی
چکیده فارسی مقاله
کلیدواژه‌های فارسی مقاله
عنوان انگلیسی Effects of Temperature on Radiative Properties of Nanoscale Multilayer with Coherent Formulation in Visible Wavelengths
چکیده انگلیسی مقاله During the past two decades, there have been tremendous developments in near-field imaging and local probing techniques. Examples are the Scanning Tunneling Microscope (STM), Atomic Force Microscope (AFM), Near-field Scanning Optical Microscope (NSOM), Photon Scanning Tunneling Microscope (PSTM), and Scanning Thermal Microscope (SThM).Results showed that the average reflectance for a dopant concentration of is 0.28247 in 25ºC, 0.30064 in 500ºC and 0.32052 in 1000ºC for donors. The average reflectance for a dopant concentration of is 0.282474 in 25ºC, 0.30064 in 500ºC and 0.32052 in 1000ºC for acceptors. For visible wavelengths, more reflectance occurs in greater temperature and the emittance decreases as the temperature increases. In these wavelengths, transmittance is negligible. At room temperature for concentration less than , concentration has not important influence on radiative properties. At room temperature, the scattering process is dominated by lattice scattering for lightly doped silicon, and the impurity scattering becomes important for heavily doped silicon when the dopant concentration exceeds . 
کلیدواژه‌های انگلیسی مقاله
نویسندگان مقاله سید علی اصغر علومی | s a a
department of mechanical engineering, islamic azad university, yazd branch, yazd, iran
سازمان اصلی تایید شده: دانشگاه آزاد اسلامی علوم و تحقیقات (Islamic azad university science and research branch)

a صابونچی |
department of mechanical engineering, isfahan university of technology, isfahan, iran
سازمان اصلی تایید شده: دانشگاه صنعتی اصفهان (Isfahan university of technology)

s صداقت |
department of mechanical engineering, isfahan university of technology, isfahan, iran
سازمان اصلی تایید شده: دانشگاه صنعتی اصفهان (Isfahan university of technology)

نشانی اینترنتی http://jmee.isme.ir/article_20565_18f8f27c9d90efeee49aa01831aadc19.pdf
فایل مقاله فایلی برای مقاله ذخیره نشده است
کد مقاله (doi)
زبان مقاله منتشر شده en
موضوعات مقاله منتشر شده
نوع مقاله منتشر شده
برگشت به: صفحه اول پایگاه   |   نسخه مرتبط   |   نشریه مرتبط   |   فهرست نشریات