این سایت در حال حاضر پشتیبانی نمی شود و امکان دارد داده های نشریات بروز نباشند
Journal of Nanostructures، جلد ۵، شماره ۱، صفحات ۴۱-۴۵
عنوان فارسی
چکیده فارسی مقاله
کلیدواژه‌های فارسی مقاله
عنوان انگلیسی Study of System Pressure Dependence on n-TiO2/p-Si Hetrostructure for Photovoltaic Applications
چکیده انگلیسی مقاله This study reports the fabrication of n-TiO2/p-Si hetrojunction by deposition of TiO2nanowires on p-Si substrate. The effect of system pressure and the current-voltage (I-V) characteristics of n-TiO2/p-si hetrojunction were studied. The morphology of the samples was investigated by Field Emission Scanning Electron Microscopy (FESEM) which confirms formation of TiO2 nanowires that their diameters increase with increasing the pressure of system. The I-V characteristics were measured to investigate the hetrojunction effects of under forward and reverse biases at different system pressure by sweeping in the voltage from 0 to +6 V, then to -6 V, and finally reaching 0 V. TiO2/Si diodes in the system pressure 60 mbar and 30 mbar indicated that a p-n junction formed in the n-TiO2/p-Si hetrojunction. But as the system pressure increased to 1000 mbar, the I-V characteristics became inversed. This treatment can be scribed by the change of the energy band structure of TiO2.
کلیدواژه‌های انگلیسی مقاله
نویسندگان مقاله s رمضانی ثانی | ramezani sani
department of physic, roudehen branch,islamic azad university , roudehen, iran
سازمان اصلی تایید شده: دانشگاه آزاد اسلامی علوم و تحقیقات (Islamic azad university science and research branch)

نشانی اینترنتی http://jns.kashanu.ac.ir/article_9379_79ec815fe115bc4378b25a5731beceac.pdf
فایل مقاله فایلی برای مقاله ذخیره نشده است
کد مقاله (doi)
زبان مقاله منتشر شده en
موضوعات مقاله منتشر شده
نوع مقاله منتشر شده
برگشت به: صفحه اول پایگاه   |   نسخه مرتبط   |   نشریه مرتبط   |   فهرست نشریات