این سایت در حال حاضر پشتیبانی نمی شود و امکان دارد داده های نشریات بروز نباشند
Journal of Nanostructures، جلد ۳، شماره ۴، صفحات ۴۱۱-۴۱۴
عنوان فارسی
چکیده فارسی مقاله
کلیدواژه‌های فارسی مقاله
عنوان انگلیسی Effects of the Spacer Length on the High-Frequency Nanoscale Field Effect Diode performance
چکیده انگلیسی مقاله The performance of nanoscale Field Effect Diodes as a function of the spacer length between two gates is investigated. Our numerical results show that the Ion/Ioff ratio which is a significant parameter in digital application can be varied from 101 to 104 for S-FED as the spacer length between two gates increases whereas this ratio is approximately constant for M-FED. The high-frequency performance of FEDs is investigated and the cut-off frequency of the intrinsic transistor without parasitic capacitance is calculated. The figures of merit including intrinsic gate delay time and energy-delay product have been studied for the field effect diodes which are interesting candidates for future logic applications.
کلیدواژه‌های انگلیسی مقاله
نویسندگان مقاله n معنوی زاده |
electrical and computer engineering department, k. n. toosi university of technology
سازمان اصلی تایید شده: دانشگاه صنعتی خواجه نصیرالدین طوسی (Khajeh nasir toosi university of technology)

f رییسی |
electrical and computer engineering department, k. n. toosi university of technology
سازمان اصلی تایید شده: دانشگاه صنعتی خواجه نصیرالدین طوسی (Khajeh nasir toosi university of technology)

e اصل سلیمانی | asl soleimani
thin films and nanoelectronic lab. electrical and computer engineering department, university of tehran
سازمان اصلی تایید شده: دانشگاه تهران (Tehran university)

نشانی اینترنتی http://jns.kashanu.ac.ir/article_5925_0fcf3d4d97ee2918b937770bb75965fe.pdf
فایل مقاله فایلی برای مقاله ذخیره نشده است
کد مقاله (doi)
زبان مقاله منتشر شده en
موضوعات مقاله منتشر شده
نوع مقاله منتشر شده
برگشت به: صفحه اول پایگاه   |   نسخه مرتبط   |   نشریه مرتبط   |   فهرست نشریات