این سایت در حال حاضر پشتیبانی نمی شود و امکان دارد داده های نشریات بروز نباشند
Iranian Journal of Electrical and Electronic Engineering، جلد ۱۵، شماره ۴، صفحات ۵۰۲-۵۰۸
عنوان فارسی
چکیده فارسی مقاله
کلیدواژه‌های فارسی مقاله
عنوان انگلیسی Electrical μ-Lens Synthesis Using Dual-Junction Single-Photon Avalanche Diode
چکیده انگلیسی مقاله This work presents a dual-junction, single-photon avalanche diode (SPAD) with electrical μ-lens designed and simulated in 90 nm standard complementary metal oxide semiconductor (CMOS) technology. The evaluated structure can collect the photons impinging beneath the pixel guard ring, as well as the pixel active area. The fill factor of the SPAD increases from 12.5% to 42% in comparison with similar works on the same technology, according to new charge collections. Although the designed SPAD suffers from high dark count rate (DCR of 300kHz at 0.17V excess bias at room temperature) due to high amount of tunneling which was predicted in previous similar works, it still can be used in different applications such as random number generators and charged particle positioning pixels.​
کلیدواژه‌های انگلیسی مقاله SPAD, μ-Lens, CMOS, Fill Factor, PDP, DCR.
نویسندگان مقاله | S. Ejdehakosh
School of Electrical Engineering, Iran University of Science and Technology (IUST), Tehran 1684613114, Iran.


| M. A. Karami
School of Electrical Engineering, Iran University of Science and Technology (IUST), Tehran 1684613114, Iran.
نشانی اینترنتی http://ijeee.iust.ac.ir/browse.php?a_code=A-10-654-2&slc_lang=en&sid=1
فایل مقاله اشکال در دسترسی به فایل - ./files/site1/rds_journals/446/article-446-2047152.pdf
کد مقاله (doi)
زبان مقاله منتشر شده en
موضوعات مقاله منتشر شده 2-VLSI
نوع مقاله منتشر شده Research Paper
برگشت به: صفحه اول پایگاه   |   نسخه مرتبط   |   نشریه مرتبط   |   فهرست نشریات