این سایت در حال حاضر پشتیبانی نمی شود و امکان دارد داده های نشریات بروز نباشند
Iranian Journal of Electrical and Electronic Engineering، جلد ۱۵، شماره ۴، صفحات ۵۰۹-۵۱۵
عنوان فارسی
چکیده فارسی مقاله
کلیدواژه‌های فارسی مقاله
عنوان انگلیسی Modelling of High Quantum Efficiency Avalanche Photodiode
چکیده انگلیسی مقاله A model of a low noise high quantum efficiency n+np Germanium Photodiode utilizing ion implantation technique and subsequent drive-in diffusion in the n layer is presented. Numerical analysis is used to study the influence of junction depth and bulk concentration on the electric field profile and quantum efficiency. The performance of the device is theoretically treated especially at the wave-length region 1.55μm where the Silica optical fiber has minimum attenuation loss. It has been found that at this wave-length and for the optimum device design the quantum efficiency approaches about 90%.
کلیدواژه‌های انگلیسی مقاله Avalanche Photodiodes, Responsivity, Quantum Efficiency.
نویسندگان مقاله | T. Baldawi
Department of Electrical Engineering, Princess Sumaya University for Technology, Amman, Jordan.


| A. Abuelhaija
Electrical Engineering Department, Applied Science Private University, Amman, Jordan.
نشانی اینترنتی http://ijeee.iust.ac.ir/browse.php?a_code=A-10-2692-1&slc_lang=en&sid=1
فایل مقاله اشکال در دسترسی به فایل - ./files/site1/rds_journals/446/article-446-2047153.pdf
کد مقاله (doi)
زبان مقاله منتشر شده en
موضوعات مقاله منتشر شده 2-Optoelectronics and Photonics
نوع مقاله منتشر شده Research Paper
برگشت به: صفحه اول پایگاه   |   نسخه مرتبط   |   نشریه مرتبط   |   فهرست نشریات