این سایت در حال حاضر پشتیبانی نمی شود و امکان دارد داده های نشریات بروز نباشند
International Journal of Engineering، جلد ۳۰، شماره ۱۱، صفحات ۱۷۷۱-۱۷۷۵
عنوان فارسی
چکیده فارسی مقاله
کلیدواژه‌های فارسی مقاله
عنوان انگلیسی Hopping Conductivity in Single Crystals (Cd0.6Zn0.32Mn0.08)3As2 (RESEARCH NOTE)
چکیده انگلیسی مقاله The growth processes of Tetragonal single crystals of solid solution (Cd0.6Zn0.32Mn0.08)3As2, space group P42/nmc, has been synthesized by Bridgman method. Conductivity and magnetoresistance of (Cd0.6Zn0.32Mn0.08)3As2 were measured in the range 1.6K to 300K and in magnetic field up to 25 T. Crossover from Mott variable-range-hopping conductivity mechanism close to helium temperatures. In this work, we found the width of the coulomb D = 0.21 meV and a rigid gap δ = 0.026 meV in the density of localized states, concentration and localization radius of charge carriers.
کلیدواژه‌های انگلیسی مقاله
نویسندگان مقاله Michael Shakhov |
Laboratory of Kinetic Phenomena in a solid at low , Ioffe Institute Russia

Erkki Lähderanta |
Department of Mathematics and Physics, Lappeenranta University of Technology

Tatiana Nikulicheva |
Department of General Mathematics, Belgorod State National Research University

Mahmudul Alam |
Department of Electrical and Electronic Engineerin, University of Asia Pacific

Vasilii Zakhvalinskii |
Department of General and Applied Physics, Belgorod State National Research University

Eugene Piljuk |
Department of General and Applied Physics, Belgorod State National Research University

Sergey Ivanchikhin |
Department of Materials Science and Nanotechnology, Belgorod State National Research University

نشانی اینترنتی http://www.ije.ir/article_73064_9952144d24876f173f77bbff793ee765.pdf
فایل مقاله اشکال در دسترسی به فایل - ./files/site1/rds_journals/409/article-409-2061983.pdf
کد مقاله (doi)
زبان مقاله منتشر شده en
موضوعات مقاله منتشر شده
نوع مقاله منتشر شده
برگشت به: صفحه اول پایگاه   |   نسخه مرتبط   |   نشریه مرتبط   |   فهرست نشریات