این سایت در حال حاضر پشتیبانی نمی شود و امکان دارد داده های نشریات بروز نباشند
International Journal of Engineering، جلد ۲۹، شماره ۵، صفحات ۶۳۰-۶۳۶
عنوان فارسی
چکیده فارسی مقاله
کلیدواژه‌های فارسی مقاله
عنوان انگلیسی A Sub-threshold 9T SRAM Cell with High Write and Read ability with Bit Interleaving Capability
چکیده انگلیسی مقاله This paper proposes a new sub-threshold low power 9T static random-access memory (SRAM) cell compatible with bit interleaving structure in which the effective sizing adjustment of access transistors in write mode is provided by isolating writing and reading paths. In the proposed cell, we consider a weak inverter to make better write mode operation. Moreover applying boosted word line feature decreases write mode failure. An access buffer seperates storage node from read access transistor to improve cell stability and prevent data-related leakage in read operation. Applying virtual ground also reduces the leakage. Furthermore, we design the cell control unit. The simulation results at VDD=0.5V exhibit the effectiveness of our proposed cell compared with other counterparts which are suitable for bit interleaving structure. Comparison results on the proposed cell and 6T cell show our cell improved 70% in write power consumption and 90.45% in read power consumption.
کلیدواژه‌های انگلیسی مقاله
نویسندگان مقاله Maryam Nobakht |
Department of Electrical Engineering, Guilan

Rahebeh Niaraki |
Engineering Faculty, University of Guilan, University of Guilan

نشانی اینترنتی http://www.ije.ir/article_72717_fcb0f8af7ff3fa7053c2ec543dd0ef11.pdf
فایل مقاله اشکال در دسترسی به فایل - ./files/site1/rds_journals/409/article-409-2062311.pdf
کد مقاله (doi)
زبان مقاله منتشر شده en
موضوعات مقاله منتشر شده
نوع مقاله منتشر شده
برگشت به: صفحه اول پایگاه   |   نسخه مرتبط   |   نشریه مرتبط   |   فهرست نشریات