این سایت در حال حاضر پشتیبانی نمی شود و امکان دارد داده های نشریات بروز نباشند
مهندسی مکانیک، جلد ۲۹، شماره ۱، صفحات ۵۹-۶۵
عنوان فارسی بررسی عددی میدان جریان و دما جهت بهبود انتقال حرارت نانوسیال تحت تأثیر میدان مغناطیسی
چکیده فارسی مقاله در این مقاله انتقال گرمای جابجایی توأم آزاد و اجباری در یک محفظه C-شکل حاوی نانوسیال به روش عددی بررسی شده است. این جریان از پایین محفظه وارد شده و از بالا خارج شده و دیوارهٔ در ارتباط با سیال در دمای Th در نظر گرفته شد. محفظه تحت اثر میدان مغناطیسی یکنواختی قرار دارد. معادلات حاکم بر جریان از روش حجم کنترل و استفاده از الگوریتم سیمپل حل شده‌اند و میدان‌های جریان، دما و میزان انتقال گرما پیش بینی شد. بررسی‌ها به ازای تغییر اعداد ریچاردسون (Ri)، رایلی (Re)، هارتمن (Ha) و درصد حجمی نانوذرات در حالت دائم انجام شده است. نتایج این بررسی حاکی نشان داد با افزایش عدد رایلی از 103 به 105، بیشترین مقدار افزایش انتقال حرارت (افزایش مقدار تایع جریان) از 0.9 به 16.06 m2/s است ولی با افزایش عدد ریچاردسون از 0.1 به 10، بیشترین کاهش انتقال حرارت از 11.02 به 5.58 m2/s اندازه‌گیری شد. مؤلفه‌های مورد بررسی در پژوهش حاضر به صورت همزمان، در کارهای دیگر مورد توجه قرار نگرفته است.
کلیدواژه‌های فارسی مقاله جابجایی توأم، محفظه C-شکل، میدان مغناطیسی، نانوسیال، عدد ناسلت،
عنوان انگلیسی
چکیده انگلیسی مقاله
کلیدواژه‌های انگلیسی مقاله
نویسندگان مقاله محمدرضا نجفی |
مربی، دانشکده مهندسی مکانیک، دانشگاه جامع امام حسین (ع)، تهران

علیرضا شاطری |
استادیار، گروه مهندسی مکانیک، دانشکده فنی مهندسی، دانشگاه شهرکرد، شهرکرد

نشانی اینترنتی http://mmep.isme.ir/article_39276_6c63df035d166726431209c443b6344f.pdf
فایل مقاله اشکال در دسترسی به فایل - ./files/site1/rds_journals/1251/article-1251-2406007.pdf
کد مقاله (doi)
زبان مقاله منتشر شده fa
موضوعات مقاله منتشر شده
نوع مقاله منتشر شده
برگشت به: صفحه اول پایگاه   |   نسخه مرتبط   |   نشریه مرتبط   |   فهرست نشریات