این سایت در حال حاضر پشتیبانی نمی شود و امکان دارد داده های نشریات بروز نباشند
شیمی و مهندسی شیمی ایران، جلد ۳۸، شماره ۱، صفحات ۱۹۵-۲۱۱
عنوان فارسی بررسی ویژگی‌های ساختاری و الکترونی ترکیب‌های AgGaX۲(X=Se,S,Te) و CuSbX۲(X=Se,S,Te) با استفاده از نظریۀ تابعی چگالی
چکیده فارسی مقاله در این مطالعه ویژگی­ های ساختاری از جمله ثابت­ های شبکه، مدول حجمی و الکترونی ترکیب ­های (X=S,Se,Te) AgGaX2 وCuSbX2 (X=S,Se,Te) در حالت انبوه در چارچوب نظریۀ تابعی چگالی و روش موج­ های تخت بهبود یافتۀ خطی با پتانسیل کامل (FP-LAPW) با استفاده از نرم ­افزار Wien2k محاسبه شده است. هم­چنین برای بررسی ویژگی­های الکترونی این ترکیب­ ها، چگالی حالت­ های کل، ساختار نواری، چگالی حالت ­های جزیی و چگالی ابر الکترونی رسم شده ­اند. نتیجه ­های به دست آمده نشان می­ دهد که هر سه ترکیب نیم ­رسانا دارای گاف مستقیم در نقطۀ Γ می ­باشد. با توجه به چگالی ابر الکترونی و چگونگی توزیع ابر الکترونی در اطراف اتم­ ها، نشان م ی­دهد که پیوند بین ات م­ها در ترکیب­ های(X=S,Se,Te) AgGaX2 وCuSbX2 (X=S,Se,Te) کووالانسی است. هم­چنین با استفاده از منحنی­ های چگالی حالت ­ها، چگونگی هم­پوشانی اربیتال ­ها بیان شده ­اند. از سویی با رسم نمودار ساختار نواری ترکی ب­ها با تقریب­های گوناگون برای انرژی تبادلی ـ همبستگی، میزان و دقت گاف­های نواری ترکیب ­ها مشخص شده است که نتیج ه­های به­ دست آمده با دیگر نتیجه­ های تجربی موجود سازگار می­ باشد.
کلیدواژه‌های فارسی مقاله
عنوان انگلیسی Investigation of Structural and Electronic Properties of AgGaX2(X=S,Se,Te) and CuSbX2(X=S,Se,Te) Compounds Using Density Functional Theory
چکیده انگلیسی مقاله In this Research, structural and electronic properties of AgGaX2(X=S, Se, Te) and were studied using full potential linear augmented plane wave (FP-LAPW) within the framework of density functional theory using Wien2k code. The lattice constants, bulk modulus (B), and its first derivative (B') were calculated to investigate the structural properties. Total and partial density of states, band structure, and electron density were plotted to investigate the electronic properties of all materials. All compounds were semiconductors with direct bandgap energy in Γ point and the results are found to agree with the experiment. The orbital overlap was explained by using the partial density of states, also electron density shown that AgGaX2(X=S, Se, Te) and CuSbX2(X=S, Se ,Te) compounds have covalent bonds.
کلیدواژه‌های انگلیسی مقاله
نویسندگان مقاله حمدا.. صالحی |
گروه فیزیک، دانشکده علوم، دانشگاه شهید چمران اهواز، اهواز، ایران

الهام گردانیان |
گروه فیزیک، دانشکده علوم، دانشگاه شهید چمران، اهواز، اهواز, ایران

روح الله زارع حسن آباد |
گروه فیزیک، دانشکده علوم، دانشگاه شهید چمران، اهواز، اهواز, ایران

نشانی اینترنتی http://www.nsmsi.ir/article_30261_53dad8e9f5bfcb12e1580f8d66ecbb9b.pdf
فایل مقاله اشکال در دسترسی به فایل - ./files/site1/rds_journals/931/article-931-2444540.pdf
کد مقاله (doi)
زبان مقاله منتشر شده fa
موضوعات مقاله منتشر شده
نوع مقاله منتشر شده
برگشت به: صفحه اول پایگاه   |   نسخه مرتبط   |   نشریه مرتبط   |   فهرست نشریات