این سایت در حال حاضر پشتیبانی نمی شود و امکان دارد داده های نشریات بروز نباشند
دریا فنون، جلد ۸، شماره ۱، صفحات ۱۳-۲۲
عنوان فارسی طراحی یک تقویت کننده کم نویز با محدوده خطینگی وسیع برای گیرنده رادیویی فراپهن باند با توان مصرفی پایین
چکیده فارسی مقاله در این مقاله یک تقویت‌کننده کم نویز فراپهن ‌باند مقاوم در برابر تداخل‌گرها در باند فرکانسی 6/10-1/3 گیگاهرتز برای گیرنده‌های رادیویی بی‌سیم جهت انتقال اطلاعات با نرخ بالا ارائه شده است. اعوجاج هارمونیکی مرتبه دوم و سوم (IIP2 ,IIP3) و عدد نویز ساختار پیشنهادی با بکارگیری تکنیک‌های مشتق تطبیقی مکمل بهبود یافته ، فیدبک غیرفعال و خلاقیت در مدار بهبود یافته است. درطرح پیشنهادی با استفاده از فیلتر LC بالاگذر و پیکربندی سورس مشترک، تطبیق امپدانس پهن باند تضمین شده است. از روش گرایش بدنه مستقیم برای کاهش ولتاژ آستانه ماسفت استفاده شده است و تمامی ترانزستورهای نوع n و p در ناحیه وارونگی قوی کار می‌کنند. با منبع تغذیه 2/1 ولت، ساختار پیشنهادی 41/7 میلی وات توان مصرف می‌کند. نتایج شبیه‌سازی با جانمایی درنرم‌افزار کیدنس برای ترانزیستور ماسفت با تکنولوژی 180 میکرومتر نشان می‌دهد که ضریب بازگشت ورودی کمتر از 10- دسی‌بل، کمترین مقدار عدد نویز 6/2 دسی‌بل، بهره 11 دسی‌بل بدست آمده است. بیشترین مقدار IIP3 و IIP2 درکل باند فرکانسی 5/7 گیگاهرتز به ترتیب 62/3+ و 11/31+ dBm می‌باشد. اندازه تراشه برای طرح پیشنهادی برابر870×734 میلیمتر مربع می‌باشد. با توجه به نتایج به ‌دست آمده، LNA پیشنهادی به عنوان گزینه مناسب برای کاربردهای فراپهن باند با ویژگی توان مصرفی کم و محدوده خطینگی وسیع معرفی می‌گردد.
کلیدواژه‌های فارسی مقاله تقویت‌کننده کم نویز، فراپهن باند، عملکرد خطی، اعوجاج هارمونیکی مرتبه سوم،
عنوان انگلیسی Design of a highly linear low power low noise amplifier for UWB receivers
چکیده انگلیسی مقاله In this paper a interference-resistant ultra-wide-band low noise amplifier is presented in frequency range of 3.1-10.6 GHz for high data rate wireless communication and radio receiver. Second and third order input intercept point (IIP2 and IIP3) are enhanced in the novel circuit by new circuit structure and by adopting the Improved Complementary Derivative Superposition (ICDS), Forward Body Bias (FBB)and resistive feedback. The proposed LNA uses low pass filter and common source topology as wide-band input matching. Utilizing FBB technique reduce the threshold voltage and hence lower power consumption is achieved. The post-layout simulation of the proposed LNA in a 180 nm RF CMOS process show S11 less than - 10 dB in the entire band. Minimum of noise figure is 2.6 dB, power gain is about 11 dB, maximum of IIP3 and of IIP2 are 3.61 dB and 31.11 dB, respectively. The chip area is 734 mm ×870 mm. The DC power consumption is only 7.4 mW with 1.2V DC supply.
کلیدواژه‌های انگلیسی مقاله تقویت‌کننده کم نویز, فراپهن باند, عملکرد خطی, اعوجاج هارمونیکی مرتبه سوم
نویسندگان مقاله بهنام درستکار |
دانشجوی دکتری مهندسی برق دانشگاه علم و صنعت ایران، تهران

جواد یاوند حسنی |
استادیار مهندسی برق دانشگاه علم و صنعت ایران، تهران

نشانی اینترنتی http://ijmt.iranjournals.ir/article_44918_dd82e3c1b862332d1147d996910ce24f.pdf
فایل مقاله فایلی برای مقاله ذخیره نشده است
کد مقاله (doi)
زبان مقاله منتشر شده fa
موضوعات مقاله منتشر شده
نوع مقاله منتشر شده
برگشت به: صفحه اول پایگاه   |   نسخه مرتبط   |   نشریه مرتبط   |   فهرست نشریات