این سایت در حال حاضر پشتیبانی نمی شود و امکان دارد داده های نشریات بروز نباشند
دریا فنون، جلد ۷، شماره ۲، صفحات ۱۴-۲۲
عنوان فارسی تقویت کننده توان بالا متعادل ۱-۳ گیگاهرتز
چکیده فارسی مقاله طراحی، ساخت و نتایج اندازه‌گیری یک تقویت کننده توان متعادل در باند فرکانسی 1-3 گیگاهرتز با توان خروجی 160 وات ارائه شده است. در تقویت کننده ارائه شده از دو ترانزیستور 90 واتی به صورت متعادل (با استفاده از دو کوپلر 90 درجه 3dB) استفاده شده است. برای طراحی مدار تطبیق ورودی و خروجی هر یک از تقویت کننده‌ها از داده‌های سورس‌پول/لود‌پول و همینطور مدل پارامترهای ایکس ترانزیستور استفاده شده است که هر دو (داده‌های سورس پول / لود پول و مدل پارامترهای X) از مدل فشرده غیرخطی ترانزیستور استخراج شده است. استفاده از طرح متعادل در طراحی نه تنها توان خروجی را حدود دو برابر میکند، بلکه تلفات بازگشتی را نیز به صورت چشمگیری بهبود میبخشد. اندازه‌گیری تقویت کننده ساخته شده توان خروجی حدودا بین 52dBm تا 53dBm، بازدهی درین از 34% تا 50%، بهره توان بین 9dB تا 12.5dB را در بازه فرکانسی 3-1 گیگاهرتز نشان می‌باشد.
کلیدواژه‌های فارسی مقاله پارامترهای ایکس، تقویت کننده‌های توان پهن‌باند، تقویت کننده متعادل، مدار‌های تطبیق پهن‌باند،
عنوان انگلیسی A 1-3 GHz Balanced High Power Amplifier
چکیده انگلیسی مقاله The design process, fabrication, and measurement results of a 1 - 3 GHz, balanced power amplifier with an output power of around 160 W are presented. The balanced power amplifier includes two 90W-RF power transistors and two 3dB, hybrids in a balanced configuration. The matching networks of the transistors were designed using the load-pull and source-pull data and also the X-parameter model of the transistor which both are extracted from the transistor's nonlinear compact model. The balanced configuration, not only duplicates the output power but also improves the reflection loss particularly at the input of the amplifier. The measurement results of the fabricated balanced power amplifier showed an output power between 52-53 dBm, a power gain of 9-12.5 dB and a drain efficiency between 34%-50% in the wide frequency band of 1-3 GHz.
کلیدواژه‌های انگلیسی مقاله پارامترهای ایکس, تقویت کننده‌های توان پهن‌باند, تقویت کننده متعادل, مدار‌های تطبیق پهن‌باند
نویسندگان مقاله حمید طالب الحق نیا |
دانشجوی کارشناسی ارشد دانشکده مهندسی برق دانشگاه علم و صنعت ایران

سید حسین جاوید حسینی |
دانششجوی کارشناسی ارشد دانشکده مهندسی برق دانشگاه علم و صنعت ایران

وحید نیری |
استادیار دانشکده مهندسی برق دانشگاه علم و صنعت ایران

نشانی اینترنتی http://ijmt.iranjournals.ir/article_38284_95b2a81ae4f4c0d96e8b0953bd6b3cd6.pdf
فایل مقاله فایلی برای مقاله ذخیره نشده است
کد مقاله (doi)
زبان مقاله منتشر شده fa
موضوعات مقاله منتشر شده
نوع مقاله منتشر شده
برگشت به: صفحه اول پایگاه   |   نسخه مرتبط   |   نشریه مرتبط   |   فهرست نشریات