این سایت در حال حاضر پشتیبانی نمی شود و امکان دارد داده های نشریات بروز نباشند
سنجش و ایمنی پرتو، جلد ۹، شماره ۱، صفحات ۴۳-۵۴
عنوان فارسی امکان‌سنجی پتانسیل آلایش (دوپینگ) سیلیکون در ستون حرارتی راکتور تحقیقاتی تهران
چکیده فارسی مقاله تولید نیمه‌هادی‌هایی نظیر سیلیکون آلاییده شده توسط فسفر در تولید قطعات الکترونیک قدرت و صنایع مختلف نظیر خودروسازی و نیروگاه‌های خورشیدی کاربردهای بسیار زیادی دارد. فرآیند آلایش که اصطلاحاً دوپینگ سیلیکون نامیده می‌شود، با هر یک از روش‌های شیمیایی و هسته‌ای قابل انجام است. از آن‌جایی که یکنواختی ناخالصی تزریق شده در روش شیمیایی مناسب نیست، روش‌های ناخالص‌سازی سیلیکون به‌روش تابش‌دهی نوترونی در دنیا به‌شدت دنبال می‌شود. در این کار، پتانسیل ستون حرارتی راکتور تحقیقاتی تهران برای انجام آلایش سیلیکون با استفاده از کد شبیه‌‌سازی MCNPX بررسی شده است. نتایج حاصل از این کار نشان می‌دهد شار نوترون‌های حرارتی و نسبت شار نوترون‌های حرارتی به نوترون‌های سریع در مکان بهینه به‌ترتیب n/s.cm2 1012×2/1 و 441 می‌باشد که نشان می‌دهد ستون حرارتی راکتور تهران می‌تواند مکان مناسبی برای آلایش سیلیکون باشد.  
کلیدواژه‌های فارسی مقاله آلایش سیلیکون، راکتور تحقیقاتی تهران، ستون حرارتی، کد MCNPX.
عنوان انگلیسی Feasibility study of silicon doping potential in Tehran research reactor thermal column
چکیده انگلیسی مقاله Production of semiconductors such as silicon doped with phosphorus has many applications in the production of electronic components and various industries such as aerospace. The process of impurity making, which is called silicon doping, can be done by both chemical and nuclear methods. Since the uniformity of the injected impurities is not suitable in the chemical method, the methods of silicon doping by neutron irradiation method are strongly followed in the world. In this work, the potential of the thermal column of Tehran Research Reactor for silicon doping is investigated using MCNPX simulation code. The results show that the thermal neutron flux as well as the ratio of thermal to fast neutron flux in the optimal location are 1.2×1012 n/s.cm2 and 441, respectively, which shows that the thermal column of the Tehran research reactor can be a suitable place for silicon doping.
کلیدواژه‌های انگلیسی مقاله Silicon doping, Tehran research reactor, Thermal column, MCNPX code.
نویسندگان مقاله محمدرضا کاردان | Mohammadreza Kardan
Nuclear Science and Technology Research Institute (NSTRI)
پژوهشگاه علوم و فنون هسته‌ای

زهره غلامزاده | Zohreh Gholamzadeh
Nuclear Science and Technology Research Institute (NSTRI)
پژوهشگاه علوم و فنون هسته‌ای

الهام باورنگین | Elham Bavarnegin
Nuclear Science and Technology Research Institute (NSTRI)
پژوهشگاه علوم و فنون هسته‌ای

عطیه جزوزیری | Atieh Jozvaziri
Nuclear Science and Technology Research Institute (NSTRI)
پژوهشگاه علوم و فنون هسته‌ای

یاسر کاسه ساز | Yaser Kasesaz
Nuclear Science and Technology Research Institute (NSTRI)
پژوهشگاه علوم و فنون هسته‌ای

ارسلان عزتی | Arsalan Ezati
Nuclear Science and Technology Research Institute (NSTRI)
پژوهشگاه علوم و فنون هسته‌ای

ناهید صادقی | Nahid Sadeghi
Nuclear Science and Technology Research Institute (NSTRI)
پژوهشگاه علوم و فنون هسته‌ای

فاطمه علیزاده | Fatemeh Alizadeh
Nuclear Science and Technology Research Institute (NSTRI)
پژوهشگاه علوم و فنون هسته‌ای

نشانی اینترنتی http://rsm.kashanu.ac.ir/browse.php?a_code=A-10-341-2&slc_lang=fa&sid=1
فایل مقاله فایلی برای مقاله ذخیره نشده است
کد مقاله (doi)
زبان مقاله منتشر شده fa
موضوعات مقاله منتشر شده تخصصی
نوع مقاله منتشر شده پژوهشی
برگشت به: صفحه اول پایگاه   |   نسخه مرتبط   |   نشریه مرتبط   |   فهرست نشریات