این سایت در حال حاضر پشتیبانی نمی شود و امکان دارد داده های نشریات بروز نباشند
سنجش و ایمنی پرتو، جلد ۱۱، شماره ۱، صفحات ۱۱-۲۰
عنوان فارسی بررسی قابلیت استفاده از ماسفت‌های قدرت سری IRF به عنوان دزیمتر پرتو گاما
چکیده فارسی مقاله در این مقاله قابلیت استفاده از ماسفت‌های قدرت سری IRF به عنوان دزیمتر پرتو گاما مورد بررسی قرار گرفت. برای این هدف، تغییرات ولتاژ آستانه ایجاد شده در اثر تابش پرتو گاما و همچنین مشخصه‌های محو شدگی در دمای اتاق به عنوان دو مشخصه اصلی دزیمتر ایده‌آل برای سه نوع ماسفت قدرت با مقاومت درین-سورس حالت روشن بزرگتر از 1 اهم اندازه‌گیری و مقایسه شده است. برای تابش‌دهی از چشمه کبالت 60 در دزهای تابشی محدوده krad 100-1 با نرخ دز krad/h 10 استفاده شده است. نتایج به دست آمده نشان می‌دهد که تغییرات ولتاژ آستانه نسبت به دز تابشی برای هر سه نوع ماسفت خطیت خوبی دارد. همچنین ماسفت با مقاومت حالت روشن بزرگتر حساسیت بیشتری نسبت به تابش گاما دارد. مشخصه محو شدگی برای هر سه نوع ماسفت در بازه زمانی شش ماهه کمتر از 1 درصد می‌باشد. بنابر این، ماسفت‌های قدرت سری IRF ارزان قیمت انتخاب خوبی برای دزیمتری پرتو گاما می‌باشند.
کلیدواژه‌های فارسی مقاله دزیمتری، ماسفت قدرت، تابش گاما، ولتاژ آستانه، کبالت 60،
عنوان انگلیسی Investigation of the ability to use IRF series power MOSFETs as gamma-ray dosimeters
چکیده انگلیسی مقاله In this paper, the ability of using IRF series power MOSFETs as gamma ray dosimeters was investigated. For this purpose, the threshold voltage shift generated by gamma ray radiation and the fading characteristics at room temperature, as the two main characteristics of the ideal dosimeter, for three types of power MOSFETs with a drain-source on resistance (RDS(on)) greater than 1Ω was measured and compared. Cobalt-60 source was used for irradiation at radiation dose in the range of 1-100krad with a dose rate of 10krad/h. The results show that the threshold voltage shift relative to the radiation dose has a good linearity for all three types of MOSFETs. Also, MOSFET with higher RDS(on) is more sensitive to gamma radiation. The fading characteristics for all three types of MOSFETs in the six-month period is less than 1%. Therefore, inexpensive IRF series MOSFETs are good candidates for gamma ray dosimetry.
کلیدواژه‌های انگلیسی مقاله دزیمتری, ماسفت قدرت, تابش گاما, ولتاژ آستانه, کبالت 60
نویسندگان مقاله امیر موحدی فر |
گروه فیزیک هسته‌ای، دانشگاه تبریز، تبریز، آذربایجان شرقی، ایران

صالح اشرفی |
پژوهشکده فیزیک کاربردی و ستاره شناسی، گروه کاربرد پرتوها، دانشگاه تبریز، تبریز، آذربایجان شرقی، ایران

بهارک اسلامی |
گروه فیزیک، دانشگاه پیام نور، تهران، تهران، ایران

نشانی اینترنتی https://rsm.kashanu.ac.ir/article_112479_94cf9b030220608e00a5b0936eb6d8c7.pdf
فایل مقاله فایلی برای مقاله ذخیره نشده است
کد مقاله (doi)
زبان مقاله منتشر شده fa
موضوعات مقاله منتشر شده
نوع مقاله منتشر شده
برگشت به: صفحه اول پایگاه   |   نسخه مرتبط   |   نشریه مرتبط   |   فهرست نشریات