این سایت در حال حاضر پشتیبانی نمی شود و امکان دارد داده های نشریات بروز نباشند
صفحه اصلی
درباره پایگاه
فهرست سامانه ها
الزامات سامانه ها
فهرست سازمانی
تماس با ما
JCR 2016
جستجوی مقالات
یکشنبه 7 دی 1404
سنجش و ایمنی پرتو
، جلد ۹، شماره ۶، صفحات ۴۳-۵۲
عنوان فارسی
مطالعه اثر تابش گاما روی خواص الکتریکی MOSFET و دیود MOS برای کاربرد دزیمتری
چکیده فارسی مقاله
در این کار، اثر تابش پرتو گاما روی خواص ترانزیستورهای اثر میدان نیمههادی اکسید فلزی (MOSFET) (براساس تغییر ولتاژ آستانهشان در اثر پرتودهی) بررسی شده است. ابتدا، اثر تابش گاما روی ترانزیستورهای PMOS تجاری موجود در بازار برای دزیمتری مطالعه گردید. نتایج نشان داد که پاسخ آشکارساز نسبت به دز دریافتی خطی نیست، بنابراین در ناحیههای مختلف مورد بررسی قرار گرفت. سپس، دیودهای MOS )بهصورت اتصال (Al/n-Si/SiO2/Al بهعنوان دزیمتر ساخته شدند. نمونههای ساختهشده در دُزهای میلیگری تا کیلوگری تابشدهی و رفتار الکتریکی آنها مورد بررسی قرار گرفتند. مشاهده شد که در بایاس مستقیم تغییرات جریان، کم اما در بایـاس معـکوس و در ولتـاژهای کمتر از 20 ولت تغییرات جریان دیودها نسبت به دُز دریافتی، زیاد و مقدار آن قابل اندازهگیری بود. همچنین مشاهده گردید که حساسیت دیود یک عدد ثابت نیست و این ناشی از این مسأله است که منحنی تغییرات دُز نسبت به جریان خطی نمیباشد. از روی منحنیها سه ناحیه نسبتاً خطی بهدست آمد و حساسیتها نسبت به این سه ناحیه محاسبه گردید.
کلیدواژههای فارسی مقاله
اکسیدهای فلزی، تابش گاما، دیودهای MOS، دزیمتر، حساسیت،
عنوان انگلیسی
Study of gamma irradiation effect on electrical properties of MOSFET and MOS diode for application in dosimetry
چکیده انگلیسی مقاله
In this work, the effect of the gamma radiation on the threshold voltage of metal oxide field effect transistor (MOSFET) was investigated. First, the purchased P typeMOS transistor was considered. Due to a nonlinear response to the administrated dose, the different regions were analyzed. Then we constructed an Al/n-Si/SiO2/Al MOS diode. These diodes were irradiated to mili to kilo Gray dose and their electrical behavior were investigated. In forward bias, the current variation was low but in reverse bias and lower than -20 volt, the current variation was large and measurable. A non-constant responsivity was obtained for diodes which is due to the non linearity of dose - current curve. Three different regions were chosen and the responsivity in these regions was obtained
کلیدواژههای انگلیسی مقاله
اکسیدهای فلزی, تابش گاما, دیودهای MOS, دزیمتر, حساسیت
نویسندگان مقاله
توکل توحیدی |
پژوهشکده کاربرد پرتوها، مجتمع پژوهشی شمال غرب کشور (بناب)، پژوهشگاه علوم و فنون هستهای، بناب، آذربایجان شرقی
شهریار رحمت اله پور |
پژوهشکده کاربرد پرتوها، مجتمع پژوهشی شمال غرب کشور (بناب)، پژوهشگاه علوم و فنون هستهای، بناب، آذربایجان شرقی
نشانی اینترنتی
https://rsm.kashanu.ac.ir/article_112395_46cafa8e315e207a54a6c957e7187923.pdf
فایل مقاله
فایلی برای مقاله ذخیره نشده است
کد مقاله (doi)
زبان مقاله منتشر شده
fa
موضوعات مقاله منتشر شده
نوع مقاله منتشر شده
برگشت به:
صفحه اول پایگاه
|
نسخه مرتبط
|
نشریه مرتبط
|
فهرست نشریات