این سایت در حال حاضر پشتیبانی نمی شود و امکان دارد داده های نشریات بروز نباشند
سنجش و ایمنی پرتو، جلد ۲، شماره ۳، صفحات ۲۱-۲۶
عنوان فارسی بررسی رفتار الکترونیکی یک مدار دیودی در معرض تابش برای آشکارسازی پرتوهای گاما
چکیده فارسی مقاله پرتوهای یون‌ساز می‌توانند آثار دائمی یا موقت بر عملکرد مدارهای الکترونیکی داشته باشند. آثار موقت که در حین تابش‌دهی ظاهر شوند، می‌توان به‌عنوان نشانه‌ای از وجود پرتو یون‌ساز در محیط دانست که برای آشکارسازی پرتو یون‌ساز مفید هستند. در این مطالعه، اثر فوتون‌های گاما بر جریان معکوس دیود در حالت بایاس معکوس و مقایسۀ آن با همان جریان در حالت بدون تابش مورد بررسی قرار گرفت تا از این طریق، امکان به‌کارگیری پیوند دیودی برای مصارف آشکارسازی بررسی شود. در مدار دیودی از یک دیود N4001به‌صورت سری با یک مقاومت بزرگ استفاده شده است. برای تأمین پتانسیل خارجی مدار دیودی از یک منبع تغذیه ولتاژ مستقیم گردید. برای اندازه‌گیری جریان اشباع معکوس و تغییرات جریان ناشی از تابش پرتو گاما، ولتاژ در دو سر مقاومت اندازه‌گیری شد. نتایج نشان می‌دهند که یک مدار سادۀ دیودی تحت تأثیر تابش گاما دارای اختلاف معناداری در جریان اشباع معکوس خود، نسبت به حالت بدون تابش است؛ بنابراین، می‌توان تغییرات مشاهده‌شده در جریان اشباع معکوس را در گام سادۀ اول، به‌عنوان علامت وجود پرتو گاما در محیط در نظر گرفت.
کلیدواژه‌های فارسی مقاله مدار دیودی، پرتودهی گاما، کبالت 60، سزیم 137، آشکارسازی پرتو یون‌ساز،
عنوان انگلیسی Investigation of electronic behavior of an irradiated diode circuit for gamma radiation purposes
چکیده انگلیسی مقاله The ionizing radiations are able to make either a permanent or temporarily damage in the electronic circuits. The temporary effects during irradiation can be used to detect the ionizing radiation. In this study a diode in reverse bias has been used to investigate the effects of ionization radiation on semiconductors. The variation of reverse current of diode has been monitored due to interaction of gamma with semiconductor material. The commercially available diode N4001 was used in serial connection with resistant. Results show the major effect of irradiation on diodes is the increase in reverse current. The increase in reverse bias current is linked to the creation of mid-gap states. It is possible to detect the gamma radiation using a simple diode circuit in reverse bias. Thus, a silicon diode can be thought of as a solid-state equivalent to an ionization-chamber radiation detector.
کلیدواژه‌های انگلیسی مقاله مدار دیودی, پرتودهی گاما, کبالت 60, سزیم 137, آشکارسازی پرتو یون‌ساز
نویسندگان مقاله احمد رمضانی مقدم |
دانشگاه کاشان

محمد نظیفی فرد |
دانشگاه کاشان

نشانی اینترنتی https://rsm.kashanu.ac.ir/article_112110_276bb28b8f6ac279808b99d231419100.pdf
فایل مقاله فایلی برای مقاله ذخیره نشده است
کد مقاله (doi)
زبان مقاله منتشر شده fa
موضوعات مقاله منتشر شده
نوع مقاله منتشر شده
برگشت به: صفحه اول پایگاه   |   نسخه مرتبط   |   نشریه مرتبط   |   فهرست نشریات