این سایت در حال حاضر پشتیبانی نمی شود و امکان دارد داده های نشریات بروز نباشند
رایانش نرم و فناوری اطلاعات، جلد ۹، شماره ۳، صفحات ۲۵۶-۲۷۰
عنوان فارسی یک لایه ترجمه فلش جدید با قابلیت بروزرسانی درون بلوکی
چکیده فارسی مقاله ظهور حافظه های پایدار نیمه هادی از نوع NAND فلش منجر به تولید نسل جدیدی از حافظه های جانبی به نام درایوهای حالت جامد (SSD) شد. یکی از مهمترین ویژگی های این نوع از درایوها به روزرسانی سکتورهای داده به صورت بیرون از مکان است. در SSDها برای مخفی کردن چنین ویژگی هایی از دید سیستم عامل، از یک بخش میان افزاری به نام لایه ترجمه فلش (FTL) استفاده می کنند. وظایف این بخش شامل ترجمه آدرس، زباله روبی و پخش فرسودگی است. در این مقاله یک طرح جدید برای لایه ترجمه فلش بر مبنای فشرده سازی داده ها به نام لایه ترجمه فلش با قابلیت به روزرسانی درون بلوکی (In Block Update FTL) پیشنهاد شده است. در این طرح پیشنهادی، حافظه مورد نیاز برای جدول نگاشت آدرس به میزان قابل توجهی کاهش یافته است. همچنین نتایج شبیه سازی با حجم‌کاری (Workload) واقعی نشان می دهد که سرعت خواندن و نوشتن روش مذکور نسبت به طرح مشابه قبلی به میزان قابل قبولی بهبود یافته است.
کلیدواژه‌های فارسی مقاله حافظه ی NAND فلش، درایو حالت جامد، لایه ترجمه فلش، واحد ترجمه آدرس، فشرده سازی داده ها در SSD،
عنوان انگلیسی A New Flash Translation Layer with In-Block Update Capability
چکیده انگلیسی مقاله The emergence of non-volatile NAND flash memory led to a new generation of Solid State Drives (SSD). One of the most important features of this type of drive is to update the data sectors out of place. In SSDs, a middleware called Flash Translation Layer (FTL) is used to hide such features from the operating system. The most important tasks consist of address translation, garbage collection, and wear leveling effect. Address translation has a great effect on the efficiency and read/write speed within SSDs. In this paper, we propose a new address translation scheme based on data compression, called In Block Update FTL. In the proposed scheme, the required memory of the address mapping table has been significantly reduced. Moreover, our extensive experimental results show that the proposed FTL scheme outperforms previous FLT schemes in the read and write operations under real workloads.
کلیدواژه‌های انگلیسی مقاله حافظه ی NAND فلش, درایو حالت جامد, لایه ترجمه فلش, واحد ترجمه آدرس, فشرده سازی داده ها در SSD
نویسندگان مقاله رضا غلامی تقی زاده |
دانشگاه خوارزمی

رامین غلامی تقی زاده |
دانشگاه خوارزمی تهران

محمدرضا بینش مروستی |
دانشگاه خوارزمی

سید امیر اصغری |
استادیار گروه برق و کامپیوتر، دانشکده فنی و مهندسی دانشگاه خوارزمی

نشانی اینترنتی https://jscit.nit.ac.ir/article_112861_47939436532274fccd4f90db0e90a25c.pdf
فایل مقاله فایلی برای مقاله ذخیره نشده است
کد مقاله (doi)
زبان مقاله منتشر شده fa
موضوعات مقاله منتشر شده
نوع مقاله منتشر شده
برگشت به: صفحه اول پایگاه   |   نسخه مرتبط   |   نشریه مرتبط   |   فهرست نشریات