این سایت در حال حاضر پشتیبانی نمی شود و امکان دارد داده های نشریات بروز نباشند
International Journal of Nanoscience and Nanotechnology (IJNN)، جلد ۱۹، شماره ۴، صفحات ۲۴۹-۲۶۲
عنوان فارسی
چکیده فارسی مقاله
کلیدواژه‌های فارسی مقاله
عنوان انگلیسی Exploring the Nonlinear Optical Behaviour of InGaAs/GaAs Triple Quantum Wells via Structural Modulations and External Electric Fields
چکیده انگلیسی مقاله    The nonlinear optical properties of the InxGa1-xAs/GaAs triple quantum well structure are studied for different structure parameters and applied external electric field. Within the framework of the effective mass and envelope function approximations, the one-dimensional time-independent Schrödinger wave equation is solved using the diagonalization method to obtain the energy eigenvalues and eigenfunctions of the structure. The coefficients of nonlinear optical properties such as nonlinear optical rectification (NOR), second harmonic generation (SHG), and third harmonic generation (THG) of the structure are numerically evaluated from the corresponding expressions derived within the compact density matrix approximation. The influence of adjustable structure parameters and the applied external electric field affects the separation of subband energy levels and the magnitudes of dipole moment matrix elements. These changes in the electronic properties of the structure cause the NOR, SHG, and THG peak positions to shift towards lower or higher energy regions. It is expected that these results will enable the appropriate design of new optoelectronic devices.
کلیدواژه‌های انگلیسی مقاله InGaAs,Confinement potential,NOR,SHG,THG,Low dimensional system
نویسندگان مقاله Muhammed Sayrac |
Department of Nanotechnology Engineering, Sivas Cumhuriyet University, P. O. Box 58140 Sivas, Turkey

Hassen Dakhlaoui |
Nanomaterials Technology unit, Basic and Applied Scientific Research Center (BASRC), College of Science of Dammam, Imam Abdulrahman Bin Faisal University, P. O. Box 1982, 31441 Dammam, Saudi Arabia

Miguel Eduardo Mora-Ramos |
Centro de Investigación en Ciencias-IICBA, Universidad Autonoma del Estado de Morelos, Ave. Universidad P. O. Box 51001, CP 62209, Cuernavaca, Morelos, Mexico

Fatih Ungan |
Department of Physics, Sivas Cumhuriyet University, P. O. Box 58140 Sivas, Turkey

نشانی اینترنتی https://www.ijnnonline.net/article_709103_7a5a1fb92a144f9340cd558c9cf0ec00.pdf
فایل مقاله فایلی برای مقاله ذخیره نشده است
کد مقاله (doi)
زبان مقاله منتشر شده en
موضوعات مقاله منتشر شده
نوع مقاله منتشر شده
برگشت به: صفحه اول پایگاه   |   نسخه مرتبط   |   نشریه مرتبط   |   فهرست نشریات