این سایت در حال حاضر پشتیبانی نمی شود و امکان دارد داده های نشریات بروز نباشند
International Journal of Nanoscience and Nanotechnology (IJNN)، جلد ۱۹، شماره ۳، صفحات ۱۹۹-۲۰۷
عنوان فارسی
چکیده فارسی مقاله
کلیدواژه‌های فارسی مقاله
عنوان انگلیسی An Experimental Investigation of ‎Deposition of ZnS Materials on Glass ‎Substrate with SILAR‎
چکیده انگلیسی مقاله    The formation of zinc sulfide (ZnS) is the most promising semiconductor material, particularly for optical and photovoltaic applications. The influence of the number of cycles on ZnS thin films deposited at room temperature was studied. According to our findings, the results showed that the number of deposition cycles affected the crystallinity, grain size, film thickness, and shape of the obtained films. The XRD analysis confirmed that the thin films fabricated had a crystalline structure of zinc blend ZnS with a preferred orientation in the plan (111). The gap energy of ZnS has been obtained in the range of 3.34 eV to 3.68 eV.
کلیدواژه‌های انگلیسی مقاله SILAR,Zns,XRD,Band gap energy,Sulfurization,SEM.‎
نویسندگان مقاله Haytham El Farri |
Department of Physics, Faculty of Sciences, University Ibn Tofail, BP 14000, ‎ Kenitra, Morocco

Amal Yousfi |
Department of Physics, Faculty of Sciences, University Ibn Tofail, BP 14000, ‎ Kenitra, Morocco

Mounir Fahoume |
Department of Physics, Faculty of Sciences, University Ibn Tofail, BP 14000, ‎ Kenitra, Morocco

Lahoucine El Gana |
Department of Physics, Faculty of Sciences, University Ibn Tofail, BP 14000, ‎ Kenitra, Morocco

Latifa Znaidi |
Department of Physics, Faculty of Sciences, University Ibn Tofail, BP 14000, ‎ Kenitra, Morocco

نشانی اینترنتی https://www.ijnnonline.net/article_707292_71b41868303544d39abb2208a88a9331.pdf
فایل مقاله فایلی برای مقاله ذخیره نشده است
کد مقاله (doi)
زبان مقاله منتشر شده en
موضوعات مقاله منتشر شده
نوع مقاله منتشر شده
برگشت به: صفحه اول پایگاه   |   نسخه مرتبط   |   نشریه مرتبط   |   فهرست نشریات