این سایت در حال حاضر پشتیبانی نمی شود و امکان دارد داده های نشریات بروز نباشند
International Journal of Nanoscience and Nanotechnology (IJNN)، جلد ۱۹، شماره ۲، صفحات ۹۷-۱۰۸
عنوان فارسی
چکیده فارسی مقاله
کلیدواژه‌های فارسی مقاله
عنوان انگلیسی A Review on Static and Dynamic ‎Characterization of Digital Circuits in ‎CNTFET and CMOS Technology
چکیده انگلیسی مقاله    In this paper we review a procedure to characterize digital circuits in CNTFET and CMOS technology in order to compare them. To achieve this goal, we use a semi-empirical compact CNTFET model, already proposed by us, and the BSIM4 model for MOS device. After a brief review of these models, as example, we review the static and dynamic characterization of NAND gate and Full Adder, using the software Advanced Design System (ADS) which is compatible with the Verilog-A programming language. The obtained results allow to highlight the differences between the two technologies.
کلیدواژه‌های انگلیسی مقاله CNTFET,MOSFET,Modelling,Digital circuits,Verilog-A.‎
نویسندگان مقاله Roberto Marani |
Institute of Intelligent Industrial Technologies and Systems for Advanced Manufacturing ‎‎(STIIMA), National Research Council of Italy, 70125, Bari, Italy‎

Anna Gina Perri |
Electronic Devices Laboratory, Department of Electrical and Information Engineering, ‎Polytechnic University of Bari, 70126, Bari, Italy

نشانی اینترنتی https://www.ijnnonline.net/article_705090_40d5bd8cf7ce29a02879428c391359f3.pdf
فایل مقاله فایلی برای مقاله ذخیره نشده است
کد مقاله (doi)
زبان مقاله منتشر شده en
موضوعات مقاله منتشر شده
نوع مقاله منتشر شده
برگشت به: صفحه اول پایگاه   |   نسخه مرتبط   |   نشریه مرتبط   |   فهرست نشریات