این سایت در حال حاضر پشتیبانی نمی شود و امکان دارد داده های نشریات بروز نباشند
International Journal of Nanoscience and Nanotechnology (IJNN)، جلد ۱۹، شماره ۱، صفحات ۹-۱۹
عنوان فارسی
چکیده فارسی مقاله
کلیدواژه‌های فارسی مقاله
عنوان انگلیسی A Technique, Based on Thevenin Equivalent Method, to Study the Noise Performance of Analog Circuits Involving both CNTFET and MOS Devices
چکیده انگلیسی مقاله    This paper presents a procedure, based on Thevenin equivalent method, to analyse the noise effects in analog circuits based on CNTFET and MOS devices. To achieve this goal, we use a semi-empirical compact CNTFET model, already proposed by us, including noise source contributions, and the BSIM4 model for MOS device. After a brief review of these models, as example of analog circuit, the proposed procedure is applied to study a basic current mirror and the simulation results allow to determine easily the different noise contribution of every single source. The software used is Advanced Design System (ADS) which is compatible with the Verilog-A programming language.
کلیدواژه‌های انگلیسی مقاله CNTFET,MOSFET,Modelling,Noise Effects,Analog circuits,Advanced Design System
نویسندگان مقاله Roberto Marani |
Institute of Intelligent Industrial Technologies and Systems for Advanced Manufacturing (STIIMA), National Research Council of Italy, 70125, Bari, Italy

Anna Gina Perri |
Electronic Devices Laboratory, Department of Electrical and Information Engineering, Polytechnic University of Bari, 70126, Bari, Italy

نشانی اینترنتی https://www.ijnnonline.net/article_702272_3717fe413120736b2bcc6defbee6bf5e.pdf
فایل مقاله فایلی برای مقاله ذخیره نشده است
کد مقاله (doi)
زبان مقاله منتشر شده en
موضوعات مقاله منتشر شده
نوع مقاله منتشر شده
برگشت به: صفحه اول پایگاه   |   نسخه مرتبط   |   نشریه مرتبط   |   فهرست نشریات