این سایت در حال حاضر پشتیبانی نمی شود و امکان دارد داده های نشریات بروز نباشند
International Journal of Nanoscience and Nanotechnology (IJNN)، جلد ۱۸، شماره ۳، صفحات ۱۶۷-۱۷۷
عنوان فارسی
چکیده فارسی مقاله
کلیدواژه‌های فارسی مقاله
عنوان انگلیسی Analysis of Temperature Effects in the Design of NOT Gate Based on CNTFET
چکیده انگلیسی مقاله    This paper presents a procedure to analyze the effects of temperature in CNTFET-based NOT gate using a compact semi-empirical model, already proposed by us. The proposed analysis allows to determine the noise margin and static power in different voltage supplies and temperature conditions. In particular the noise margin decreases and static power increases with temperature, so it can be asserted that low temperature is the most advantageous condition. This is true except for the case 100 K - 200 mV where noise margin is much lower than the expected value due to the double peak in gain function. In terms of power, it should be also noted that decreasing temperature from 200 K to 100 K does not produce any remarkable result. The proposed procedure can be applied to analyze the effects of temperature in the design of A/D circuits based on CNTFET.
کلیدواژه‌های انگلیسی مقاله CNTFET,Modelling,temperature effects,NOT gate,Verilog-A,Computer Aided Design (CAD)
نویسندگان مقاله R. Marani |
Institute of Intelligent Industrial Technologies and Systems for Advanced Manufacturing (STIIMA), National Research Council of Italy, 70125, Bari, Italy

A. G. Perri |
Electronic Devices Laboratory, Department of Electrical and Information Engineering, Polytechnic University of Bari, 70126, Bari, Italy

نشانی اینترنتی https://www.ijnnonline.net/article_254341_af822dbd70293ea7135a686552d9e88a.pdf
فایل مقاله فایلی برای مقاله ذخیره نشده است
کد مقاله (doi)
زبان مقاله منتشر شده en
موضوعات مقاله منتشر شده
نوع مقاله منتشر شده
برگشت به: صفحه اول پایگاه   |   نسخه مرتبط   |   نشریه مرتبط   |   فهرست نشریات