این سایت در حال حاضر پشتیبانی نمی شود و امکان دارد داده های نشریات بروز نباشند
International Journal of Nanoscience and Nanotechnology (IJNN)، جلد ۱۷، شماره ۱، صفحات ۳۳-۳۹
عنوان فارسی
چکیده فارسی مقاله
کلیدواژه‌های فارسی مقاله
عنوان انگلیسی Temperature Dependence of I-V ‎Characteristics in CNTFET Models: A ‎Comparison
چکیده انگلیسی مقاله    In this paper we present a comparison of temperature dependence of I-V characteristics in Carbon Nanotube Field Effect Transistor (CNTFET) models proposed in the literature in order to identify the one more easily implementable in simulation software for electronic circuit design. At first we consider a compact, semi-empirical model, already proposed by us, performing I-V characteristic simulations at different temperatures. Our results are compared with those obtained with the Stanford-Source Virtual Carbon Nanotube Field-Effect Transistor model (VS-CNFET), obtaining I-V characteristics comparable, but with CPU calculation times much lower.
کلیدواژه‌های انگلیسی مقاله CNTFET,I-V characteristics,Temperature effects.‎
نویسندگان مقاله R. Marani |
‎Institute of Intelligent Industrial Technologies and Systems for Advanced Manufacturing ‎‎(STIIMA), National Research Council of Italy‎

A. G. Perri |
‎Electronic Devices Laboratory, Department of Electrical and Information Engineering, ‎Polytechnic University of Bari, Italy

نشانی اینترنتی https://www.ijnnonline.net/article_242801_07596d0b6ff521dc807176a5b9e485d4.pdf
فایل مقاله فایلی برای مقاله ذخیره نشده است
کد مقاله (doi)
زبان مقاله منتشر شده en
موضوعات مقاله منتشر شده
نوع مقاله منتشر شده
برگشت به: صفحه اول پایگاه   |   نسخه مرتبط   |   نشریه مرتبط   |   فهرست نشریات