این سایت در حال حاضر پشتیبانی نمی شود و امکان دارد داده های نشریات بروز نباشند
دنیای نانو، جلد ۱۴، شماره ۵۰، صفحات ۲۳-۲۶
عنوان فارسی ساخت و بررسی خواص دی الکتریک سرامیک‌های اکسیدروی آلائیده به هافنیوم
چکیده فارسی مقاله در این کار پژوهشی، برای اولین بار با تکنولوژی ساده سل ژل، اثر ناخالصی عنصر ارزان قیمت و غیرسمی هافنیوم بر روی خواص دی‌الکتریکی نانوذرات اکسیدروی بررسی شد و ثابت‌های دی‌الکتریک با بالاترین مرتبه به دست آمدند. ویژگی های ساختاری اکسیدروی آلایئده به هافنیوم با اندازه بلورک 0.5 تا 1 میکرومتر بررسی شد. این ساختارها با استفاده از پراش پرتوایکس XRD و میکروسکوپ الکترونی روبشی SEM و همچنین میکروسکوپ الکترونی عبوری TEM بررسی گردیدند. حضور هافنیوم توسط مشخصه‌یابیEDX در ساختار تایید شد. نتایج بدست آمده نشان دادند که سرامیکهای ZnO:Hf با بالاترین ثابت دی-الکتریک به دست آمده تا کنون ازمرتبه 1011 ، برای آینده نانو الکترونیک میتوانند بسیار امید بخش باشند.
 
کلیدواژه‌های فارسی مقاله اکسیدروی،هافنیوم،خواص دی‌الکتریک،سرامیک،
عنوان انگلیسی
چکیده انگلیسی مقاله
کلیدواژه‌های انگلیسی مقاله اکسیدروی,هافنیوم,خواص دی‌الکتریک,سرامیک
نویسندگان مقاله عاطفه کارخانه |
پردیس علوم پایه، دانشکده فیزیک، دانشگاه سمنان

ساناز علمداری |
پردیس علوم پایه، دانشکده فیزیک، دانشگاه سمنان

مجید جعفرتفرشی |
پردیس علوم پایه، دانشکده فیزیک، دانشگاه سمنان

نشانی اینترنتی https://donyayenano.ir/article_46072_7696da3b3bb5e5d4f181c8e3ea51463e.pdf
فایل مقاله فایلی برای مقاله ذخیره نشده است
کد مقاله (doi)
زبان مقاله منتشر شده fa
موضوعات مقاله منتشر شده
نوع مقاله منتشر شده
برگشت به: صفحه اول پایگاه   |   نسخه مرتبط   |   نشریه مرتبط   |   فهرست نشریات