این سایت در حال حاضر پشتیبانی نمی شود و امکان دارد داده های نشریات بروز نباشند
دنیای نانو، جلد ۱۳، شماره ۴۹، صفحات ۴-۱۱
عنوان فارسی مقایسه توانمندی‌ها و محدودیت‌های ترانزیستور تک الکترونی و ترانزیستور اثر میدانی مبتنی بر نانولوله کربنی به منظور بکارگیری در مبدل‌های توان در ابعاد نانو
چکیده فارسی مقاله ترانزیستور تک الکترونی SET و ترانزیستورهای اثر میدانی مبتنی بر نانولوله های کربنی CNTFET گزینه های مناسبی برای جایگزینی تکنولوژی CMOS در نانومبدلهای پردازش توان می باشند. قابلیت کوچک سازی در ابعاد نانو، فرکانس کلیدزنی بالا و همچنین تلفات هدایتی و کلیدزنی پایین برخی از ویژگیهای بارز آنها در این کاربرد است. این دو گزینه برای بکارگیری بعنوان کلید دارای نقاط قوت و ضعفی نسبت به هم هستند که در این تحقیق مورد بحث قرار می گیرند. مقایسه بر مبنای شاخص های مهم یک کلید فرکانس بالا همانند سرعت کلیدزنی، تلفات هدایتی و کلیدزنی، کنترل پذیری، قابلیت اعتماد در شرایط کاری مختلف و پارامترهای مختلف الکتریکی صورت گرفته و با مرجعیت کلیدهای مبتنی بر سیلیکون می باشد.
 
کلیدواژه‌های فارسی مقاله ترانزیستور تک الکترونی،ترانزیستورهای اثر میدانی مبتنی بر نانولوله‌های کربنی،کلید زنی،پردازش توان،
عنوان انگلیسی
چکیده انگلیسی مقاله
کلیدواژه‌های انگلیسی مقاله ترانزیستور تک الکترونی,ترانزیستورهای اثر میدانی مبتنی بر نانولوله‌های کربنی,کلید زنی,پردازش توان
نویسندگان مقاله تیمور قنبری |
دانشکده فناوری‌های نوین، دانشگاه شیراز

زهرا حسینی |
دانشکده فناوری‌های نوین، دانشگاه شیراز

نشانی اینترنتی https://donyayenano.ir/article_46061_32b1ec4534cc09ba7d190c8d98da2675.pdf
فایل مقاله فایلی برای مقاله ذخیره نشده است
کد مقاله (doi)
زبان مقاله منتشر شده fa
موضوعات مقاله منتشر شده
نوع مقاله منتشر شده
برگشت به: صفحه اول پایگاه   |   نسخه مرتبط   |   نشریه مرتبط   |   فهرست نشریات