این سایت در حال حاضر پشتیبانی نمی شود و امکان دارد داده های نشریات بروز نباشند
دنیای نانو، جلد ۱۲، شماره ۴۵، صفحات ۴-۱۰
عنوان فارسی بررسی نظری خواص ترابری الکتریکی تحت تاثیر "پدیده فوتورسانش پایدار PPC" در ساختار ناهمگون AlxGa۱−xN/AlN/GaN
چکیده فارسی مقاله در این مقاله به مطالعه نظری وابستگی تحرک پذیری الکترونی به تراکم گاز الکترون دو بعدی 2DEG در ساختار ناهمگون AlxGa1-xN/GaN 25/0 و 15/0x تحت تاثیر پدیده فوتورسانش پایدار در دمای پایین K 6/1 پرداخته‌ایم. نتایج تحلیل ما مبتنی بر انواع سازوکار‌های پراکندگی و قاعده ماتیسن حاکی از آن است که در تراکم‌های الکترونی پایین، پراکندگی دررفتگی‌ها سهم غالب را در کنترل تحرک گاز الکترون دو بعدی برای هر دو نمونه بر عهده داشته‌اند؛ اما در تراکم‌های بالاتر، نه تنها دررفتگی‌ها بلکه سازوکار‌های "ناخالصی‌های بخشنده‌های از راه دور" و "ناهمواری‌های سطح مشترک" نیز بر تحرک الکترون‌ها تاثیر می‌گذارند. محاسبات ما همچنین نشان می‌دهد که با کاهش کسر مولی آلومینیوم در لایه سد AlGaN، تراکم دررفتگی‌ها کاهش یافته و منجر به تحرک پذیری الکترونی بالاتری شده است.
 
کلیدواژه‌های فارسی مقاله خواص ترابری الکتریکی،ساختار ناهمگون،چاه کوانتومی مثلثی،گاز الکترون دو بعدی،سازوکار‌‌های پراکندگی،
عنوان انگلیسی
چکیده انگلیسی مقاله
کلیدواژه‌های انگلیسی مقاله خواص ترابری الکتریکی,ساختار ناهمگون,چاه کوانتومی مثلثی,گاز الکترون دو بعدی,سازوکار‌‌های پراکندگی
نویسندگان مقاله عطیه قلیچ لی |
دانشکده فیزیک، دانشگاه صنعتی شاهرود، شاهرود

حسین عشقی |
دانشکده فیزیک، دانشگاه صنعتی شاهرود، شاهرود

نشانی اینترنتی https://donyayenano.ir/article_46024_f28d4be720a3fcb5dbc46fd54347a5e7.pdf
فایل مقاله فایلی برای مقاله ذخیره نشده است
کد مقاله (doi)
زبان مقاله منتشر شده fa
موضوعات مقاله منتشر شده
نوع مقاله منتشر شده
برگشت به: صفحه اول پایگاه   |   نسخه مرتبط   |   نشریه مرتبط   |   فهرست نشریات