این سایت در حال حاضر پشتیبانی نمی شود و امکان دارد داده های نشریات بروز نباشند
دنیای نانو، جلد ۱۲، شماره ۴۳، صفحات ۱۸-۲۹
عنوان فارسی مروری بر گرافن و کاربرد آن در ساختار ترانزیستورهای اثر میدانی
چکیده فارسی مقاله بنا به قانون مور تعداد ترانزیستورهای یک تراشه در هر بازه ی زمانی دو ساله دوبرابر میشوند. تراکم فزاینده ی ترانزیستورها مشکل افزایش دمای افزاره را در پی دارد. یک راهبرد جهت غلبه بر این مشکل کوچک کردن اندازه ی ترانزیستورها است. اما کاهش مداوم اندازه سبب افت کارآیی سیلیکون شده و مشکلاتی مانند تونل زنی الکترون را به دنبال دارد. گرافن ماده ای است که تمام پتانسیل های لازم را برای آنکه بتواند جایگزین سیلیکون در صنعت تولید ادوات نیمه هادی شود دارا است. ساختار اتمی گرافن سبب بهبود خواص الکتریکی، نوری، مکانیکی و حرارتی می شود. پژوهش ها نشان میدهند که استفاده از این ماده به عنوان ماده ی کانال در ترانزیستورهای اثر میدانی منجر به بهبود عملکرد افزاره می گردد. در این نوشتار به بررسی خواص گرافن و کاربرد آن در ساختار ترانزیستورهای اثر میدانی میپردازیم.
 
کلیدواژه‌های فارسی مقاله گرافن،ترانزیستور اثر میدان،اثر کوانتومی هال،تونل زنی،
عنوان انگلیسی
چکیده انگلیسی مقاله
کلیدواژه‌های انگلیسی مقاله گرافن,ترانزیستور اثر میدان,اثر کوانتومی هال,تونل زنی
نویسندگان مقاله مائده اکبری اشکلک |
باشگاه پژوهشگران و نخبگان جوان، واحد لاهیجان، دانشگاه آزاد اسلامی واحد لاهیجان

حسن شاملو |
دانشگاه آزاد اسلامی، واحد بوئین -زهرا، گروه مهندسی برق، بوئین-زهرا، ایران

نشانی اینترنتی https://donyayenano.ir/article_46006_715a1f615c3d0461eecb1c787d99795a.pdf
فایل مقاله فایلی برای مقاله ذخیره نشده است
کد مقاله (doi)
زبان مقاله منتشر شده fa
موضوعات مقاله منتشر شده
نوع مقاله منتشر شده
برگشت به: صفحه اول پایگاه   |   نسخه مرتبط   |   نشریه مرتبط   |   فهرست نشریات