این سایت در حال حاضر پشتیبانی نمی شود و امکان دارد داده های نشریات بروز نباشند
صفحه اصلی
درباره پایگاه
فهرست سامانه ها
الزامات سامانه ها
فهرست سازمانی
تماس با ما
JCR 2016
جستجوی مقالات
جمعه 28 آذر 1404
شیمی و مهندسی شیمی ایران
، جلد ۴۰، شماره ۳، صفحات ۱۲۹-۱۴۲
عنوان فارسی
چینش اتمی و ویژگیهای ساختاری و الکترونی Si۲BN با استفاده از نظریۀ تابعی چگالی
چکیده فارسی مقاله
گونۀ نوینی از شبکههای گرافن گونۀ هگزاگونالی با پیوند sp
2
شامل عناصر Si ، B و N نیز وجود دارد که دارای پیوند کووالانسی درون لایهای و پیوند واندروالسی میان لایهای هستند. در این پژوهش سه چینش اتمی ممکن برای ترکیب Si
2
BN در حالت انبوهه مورد مطالعه قرار گرفته است و سپس ویژگی های ساختاری و الکترونی پایدارترین حالت ترکیب Si
2
BN در چارچوب نظریه تابعی چگالی با تقریبهای گوناگون مانند PBE ، LDA ، PBEsol ، Vdw و HSE مورد بررسی قرار گرفت. محاسبه ها توسط روش امواج تخت بهبودیافته و با نرمافزار کوانتوم اسپرسو انجام شد. پایدارترین ساختاربلوریSi
2
BN با محاسبه منحنی انرژی بر حسب حجم، انرژی همدوسی، انرژی تشکیل، طول پیوندوآنتالپی ساختارهای گوناگون بلورSi
2
BN برای فشارهای گوناگون نشان داده شد. این ساختار در حالت انبوهه فلز است که عامل آن حضور اتم Si میباشد. با در نظر گرفتن سهم اربیتالهای هر اتم در ایجاد چگالی حالت کل دیده شد که اربیتال p اتمهای B و Si
1
در انرژی فرمی به ترتیب بیش ترین سهم را در توزیع چگالی نوار ظرفیت و نوار رسانش داشتند. در ایجاد ساختارتک لایه مقدار بهینه برای همۀ تقریبها برابر با 12 آنگستروم درنظرگرفته شد شایان ذکراست محاسبه هایSi
2
BN تک لایه نیز ویژگی های فلزی نشان داد ولی طول پیوندها دچارتغییرشد. در ایجاد ساختار دو لایهای نیز فاصلۀ میان لایهای بهینه و انرژی جذب ساختار مورد بررسی قرار گرفت.
کلیدواژههای فارسی مقاله
نظریۀ تابعی چگالی،مواد دوبعدی،انرژی همبستگی،تابعهای هیبرید،تقریب واندروالس،
عنوان انگلیسی
The Atomic Arrangement, Structural and Electronic Properties of Si2BN by Density Functional Theory
چکیده انگلیسی مقاله
A new class of hexagonal graphene-like lattice with an sp
2
-bonding configuration consisting of Si, B, and N with covalent bonds in the intralayer and van der Waals bond in the interlayer. In this research, three possible atomic arrangements for the Si
2
BN in the bulk state have been studied, and then the structural and electronic properties of the most stable crystal structure of Si
2
BN have been investigated in the framework of density functional theory with different approximations such as PBE, LDA, PBEsol, Vdw, HSE. The calculations have been performed by the Projector Augmented Plane Wave (PAW) method as implemented in the Quantum Espresso (QE) package. The most stable crystal structure of Si
2
BNhas been indicated by the calculation of the Energy–volume curve, Cohesive Energy, Formation energy, bond length, and enthalpy of different crystal structures of Si
2
BNfor different pressure. The structure is found to be metallic in bulk and monolayer state caused by the presence of Si atoms. By considering the orbitals of each atom in creating the total density of states, it is obvious that the p orbital of B and Si
1
atoms at E
F
possess the majority of contributions in the valence and conduction bands, respectively. In creating the monolayer structure, the optimal Vacuum for all approximations is considered to be 12A
o
. It should be noted that monolayer Si
2
BNcalculations have also shown metallic properties but the length of the bond has been changed. In creating the bilayer structure, the optimal interlayer separation and interaction energy have been investigated.
کلیدواژههای انگلیسی مقاله
نظریۀ تابعی چگالی,مواد دوبعدی,انرژی همبستگی,تابعهای هیبرید,تقریب واندروالس
نویسندگان مقاله
حمدا.. صالحی |
گروه فیزیک، دانشکده علوم، دانشگاه شهیدچمران اهواز، اهواز، ایران
زهره جاودانی |
گروه فیزیک،دانشکده علوم،دانشگاه شهیدچمران اهواز،اهواز،ایران
پیمان امیری |
گروه فیزیک،دانشکده علوم،دانشگاه شهیدچمران اهواز،اهواز،ایران
نشانی اینترنتی
https://www.nsmsi.ir/article_37440_aa7936d454519b0af3e0655f95e6addd.pdf
فایل مقاله
فایلی برای مقاله ذخیره نشده است
کد مقاله (doi)
زبان مقاله منتشر شده
fa
موضوعات مقاله منتشر شده
نوع مقاله منتشر شده
برگشت به:
صفحه اول پایگاه
|
نسخه مرتبط
|
نشریه مرتبط
|
فهرست نشریات