این سایت در حال حاضر پشتیبانی نمی شود و امکان دارد داده های نشریات بروز نباشند
Journal of Applied Fluid Mechanics، جلد ۳، شماره ۱، صفحات ۷-۱۴
عنوان فارسی
چکیده فارسی مقاله
کلیدواژه‌های فارسی مقاله
عنوان انگلیسی Investigation of Microdevice Performance by Transient Heat Transfer Simulation
چکیده انگلیسی مقاله The present work considers transient electrothermal simulation of sub-micrometer silicon device and electron-phonon interactions in electrical and thermal fields. A coupled thermal and electrical model is developed for a silicon   n  n  n structure consisting of the hydrodynamic equations for electron transport and energy conservation equations for phonon. The results indicate that, for one electric field the lattice temperature gradient has significant effect on the magnitude of electric current. The transient phonon temperature affects the device performance due to the change of mobility and gradient temperature of electron. At an external voltage of 0.1 V, calculations show that an increase in the junction boundary temperature by 100 °C, cause increasing the drain current by 16% at 3 picosecond and decreases it by 17% up to steady state condition.
کلیدواژه‌های انگلیسی مقاله Hydrodynamic, Semiconductor, Phonon, Electron, Heat transfer, Micro scale
نویسندگان مقاله A. Saboonchi |
Department of Mechanical Engineering, Isfahan University of Technology, Isfahan, 84156-83111, Iran

J. Ghasemzadeh |
Department of Mechanical Engineering, Isfahan University of Technology, Isfahan, 84156-83111, Iran

نشانی اینترنتی https://www.jafmonline.net/article_1227_65c51ecc7873f50e411bf7b0f8ab59b5.pdf
فایل مقاله فایلی برای مقاله ذخیره نشده است
کد مقاله (doi)
زبان مقاله منتشر شده en
موضوعات مقاله منتشر شده
نوع مقاله منتشر شده
برگشت به: صفحه اول پایگاه   |   نسخه مرتبط   |   نشریه مرتبط   |   فهرست نشریات