این سایت در حال حاضر پشتیبانی نمی شود و امکان دارد داده های نشریات بروز نباشند
دنیای نانو، جلد ۲۰، شماره ۷۵، صفحات ۳۹-۴۶
عنوان فارسی رسانندگی گرمایی در نانوساختارهای چاه کوانتومی دوبعدی نیمه هادی
چکیده فارسی مقاله اخیرا خواص حرارتی نانوساختارهای نیمرسانا و ابرشبکه هاتوجه زیادی را به دلائل زیر به خود معطوف کرده است. اولا کاهش پیوسته ابعاد مدارها و افزاره های میکروالکترونیک که باعث افزایشی در توان اتلافی در واحد سطح تراشه ی نیمه هادی می شود. در نتیجه تاثیر آثار اندازه روی رسانش گرمایی برای طراحی افزاره و قابلیت اعتماد به آن بسیار حائز اهمیت خواهد بود. ثانیا طراحی و ساخت دستگاه های دو بعدی چاه کوانتومی نیمه هادی ناهمگون منجر به کاهش رسانش گرمایی و بهبود کارائی ترموالکتریکی آنها می‌شود. در این کار پژوهشی خواص گرمایی یک ساختار دوبعدی نیمه هادی مانند چاه کوانتومیSi و Ge با لحاظ نرخ واهلش فونون در فرآیندهای پراکندگی واگرد، پراکندگی مرزی و پراکندگی اختلاف جرم را بررسی کرده و رسانش گرمایی را محاسبه و رسم کردیم. مشاهده گردید که هدایت حرارتی می تواند با تنظیم ضخامت لایۀ جداگر تعدیل شود. همچنین نتایج محاسبات نشان می دهد که هدایت حرارتی چاه کوانتومی نمونه در حدود یک مرتبه کمتر از انبوهۀ مشابه اش است. نتایج ما با داده های نظری و تجربی اخیر توافق دارد.
کلیدواژه‌های فارسی مقاله فونون،چاه کوانتومی،نیم رسانا،فرایند واگرد،نانوساختار،
عنوان انگلیسی Thermal conductivity in semiconductor two-dimensional quantum well nanostructures
چکیده انگلیسی مقاله Abstract: The thermal properties of semiconductor and superlattice nanostructures have recently gained more care for the following reasos. Firstly, the gradual shrink of the dimensions of devices and microelectronic circuits, which causes an increase in the semiconductor dissipative power per unit area. As a result, the thermal conductivity and reliability of the device would be important due to size effects. Secondly the design and fabrication of two-dimensional heterostructure semiconductor quantum well devices lead to the reduction of heat conduction and improvement of their thermoelectric efficiency. In this work, the thermal properties of two-dimensional semiconductor structures such as Si and Ge quantum wells is investigated regarding the phonon relaxation rates of the the umklapp scattering processes, boundary scattering, mass difference scattering and the thermal conductivity is calculated and plotted. It is seen that the thermal conductivity can be tuned by adjusting the spacer layer. Also the calculated results show that the thermal conductivity of the quantum well sample is nearly one order less than that of its bulk. Our results agree with recent theoretical and experimental data.
کلیدواژه‌های انگلیسی مقاله فونون,چاه کوانتومی,نیم رسانا,فرایند واگرد,نانوساختار
نویسندگان مقاله قاسم انصاری پور |
گروه فیزیک، دانشکده علوم، دانشگاه بوعلی سینا، همدان، ایران

اللهیار انوش |
گروه فیزیک، دانشکده علوم، دانشگاه بوعلی سینا، همدان، ایران

نشانی اینترنتی https://donyayenano.ir/article_715233_21e52e45076f62e0d239655ec491a26d.pdf
فایل مقاله فایلی برای مقاله ذخیره نشده است
کد مقاله (doi)
زبان مقاله منتشر شده fa
موضوعات مقاله منتشر شده
نوع مقاله منتشر شده
برگشت به: صفحه اول پایگاه   |   نسخه مرتبط   |   نشریه مرتبط   |   فهرست نشریات