این سایت در حال حاضر پشتیبانی نمی شود و امکان دارد داده های نشریات بروز نباشند
صفحه اصلی
درباره پایگاه
فهرست سامانه ها
الزامات سامانه ها
فهرست سازمانی
تماس با ما
JCR 2016
جستجوی مقالات
پنجشنبه 20 آذر 1404
دنیای نانو
، جلد ۲۰، شماره ۷۵، صفحات ۶۰-۶۹
عنوان فارسی
بررسی اثرات دوپینگ مشترک فلزات واسطه ۳d-۴d بر روی خواص نانوساختارهای تک لایه دو بعدی PdS۲
چکیده فارسی مقاله
در این مقاله محاسبات اصول اولیه بر پایه نظریه تابعی چگالی (DFT)پلاریزه اسپین برای مطالعه خواص مغناطیسی و الکترونیکی سیستمتک لایه دی نانوساختار PdS2 با دوپینگ جایگزینی همزمان فلزات واسطه 3d-4d انجام میشود. در حضور جفت اتم های Cr-Mo وMn-Tc ساختار خالص غیرمغناطیسی، خاصیت مغناطیسی با مقادیر مغناطش بترتیب 3.83µB و 1.60µB پیدا می کند. همچنین مقدار گاف انرژی اولیه ی 1.17eV به میزان قابل توجه ای کاهش یافته و به مقادیر گاف انرژی اسپینی بالا-پایین مختلف بترتیب (Eg=0.48eV,Eg=0.23eV) و (Eg=0.43eV,Eg=0.3eV) برای دوپینگ فلزات Cr-Mo وMn-Tc تقلیل پیدا می کند.نتایج نشان میدهد که ساختار خالص نیمه هادی غیرمغناطیسی PdS2 با دوپینگ فلزات Fe-Ru (Co-Rh) به ساختارهای مغناطیسی بترتیب با مقدار مغناطش های 3.26µB (1µB) تبدیل می شود.همچنین خاصیت نیمه فلزی با مقدار شکاف باند انرژی اسپین (Eg=0.54eV) Eg=0.25eV کسب می کند که اساس ساخت وسایل اسپینرونیک-والیترونیک محسوب می شود.بغیر از جفت فلزاتTi-Zr وCu-Ag که ویژگی فلزی به سیستم می بخشند سایر دوپینگ های جفت Sc-Y ، V-Nb ، Ni-Pd وZn-Cd نقش مغناطیسی و الکترونیکی قابل توجه ای در ساختار بازی نمی کنند.
کلیدواژههای فارسی مقاله
نانوساختار تک لایه PdS2،دوپینگ فلزات واسطه،خواص مغناطیسی،اسپینترونیک،
عنوان انگلیسی
studying the effects of 3d-4d TM co-doping on the properties of 2D monolayer PdS₂ nanostructures
چکیده انگلیسی مقاله
In this paper, first-principles calculations based on density functional theory (DFT) of spin polarization are performed to study the magnetic and electronic properties of the nanostructured PdS2 monolayer system with co-doping of 3d-4d transition metal substitution.In the presence of pairs of Cr-Mo and Mn-Tc atoms, the pristine non-magnetic system get magnetic with values of 3.83µB and 1.60µB, respectively. Also, the value of the initial energy gap of 1.2eV is significantly reduced and for doping Cr-Mo and Mn-Tc impurities, the up-down spin gaps of (Eg=0.48eV, Eg=0.23eV) and (Eg=0.43eV, Eg=0.3eV) can be obtained. The findings indicate that the originally non-magnetic PdS2 semiconductor, when doped with Fe-Ru or Co-Rh transition metals, transitions to a magnetic system,exhibiting a magnetic moments 3.26µB (1y µB). It also acquires the semi-metallic property with the spin band gap (Eg=0.54eV) Eg=0.25eV, which is considered the basis for the construction of spintronic-valleytronics devices. Apart from pairs of Ti-Zr and Cu-Ag TM that give the system a metallic character, other doping Sc-Y, V-Nb, Ni-Pd and Zn-Cd play a weakly magnetic and electronic role in the structure.
کلیدواژههای انگلیسی مقاله
نانوساختار تک لایه PdS2,دوپینگ فلزات واسطه,خواص مغناطیسی,اسپینترونیک
نویسندگان مقاله
مجتبی غلامی |
هیات علمی
نشانی اینترنتی
https://donyayenano.ir/article_715158_24eb4da083076bba258bf206bde4d16d.pdf
فایل مقاله
فایلی برای مقاله ذخیره نشده است
کد مقاله (doi)
زبان مقاله منتشر شده
fa
موضوعات مقاله منتشر شده
نوع مقاله منتشر شده
برگشت به:
صفحه اول پایگاه
|
نسخه مرتبط
|
نشریه مرتبط
|
فهرست نشریات