این سایت در حال حاضر پشتیبانی نمی شود و امکان دارد داده های نشریات بروز نباشند
International Journal of Nanoscience and Nanotechnology (IJNN)، جلد ۲۰، شماره ۲، صفحات ۱۱۳-۱۲۷
عنوان فارسی
چکیده فارسی مقاله
کلیدواژه‌های فارسی مقاله
عنوان انگلیسی A Procedure to Compare CNTFET and CMOS Technologies through the Design of a SRAM Cell: A Review
چکیده انگلیسی مقاله    In this paper we review in depth a procedure to compare the performance of CNTFET and MOSFET devices operating in sub-threshold region for ultra-low power applications. This aim is obtained through the design of a SRAM cell. The first design is based on our CNTFET model, while for the second one we use the BSIM4 model of the ADS library. At last the comparison between the two considered technologies are quantitatively presented, showing and discussing the improvements obtained with CNTFET technology. All simulations are carried out using the software Advanced Design System (ADS), which is compatible with the Verilog-A programming language, avoiding so the problems presented in SPICE used in previous designs proposed in literature.
کلیدواژه‌های انگلیسی مقاله nanoelectronics,Nanodevices,CNTFET,CMOS,Modelling,SRAM cell,Verilog-A
نویسندگان مقاله Roberto Marani |
Electronic Devices Laboratory, Department of Electrical and Information Engineering, Polytechnic University of Bari, 70126, Bari, Italy

Anna Gina Perri |
Electronic Devices Laboratory, Department of Electrical and Information Engineering, Polytechnic University of Bari, 70126, Bari, Italy

نشانی اینترنتی https://www.ijnnonline.net/article_715068_770bb2433c41a8222008cd5baa674c13.pdf
فایل مقاله فایلی برای مقاله ذخیره نشده است
کد مقاله (doi)
زبان مقاله منتشر شده en
موضوعات مقاله منتشر شده
نوع مقاله منتشر شده
برگشت به: صفحه اول پایگاه   |   نسخه مرتبط   |   نشریه مرتبط   |   فهرست نشریات