این سایت در حال حاضر پشتیبانی نمی شود و امکان دارد داده های نشریات بروز نباشند
Iranian Journal of Electrical and Electronic Engineering، جلد ۱۲، شماره ۲، صفحات ۱۴۷-۱۵۳
عنوان فارسی
چکیده فارسی مقاله
کلیدواژه‌های فارسی مقاله
عنوان انگلیسی Graphene Nano-Ribbon Field Effect Transistor under Different Ambient Temperatures
چکیده انگلیسی مقاله Abstract: This paper is the first study on the impact of ambient temperature on the electrical characteristics and high frequency performances of double gate armchair graphene nanoribbon field effect transistor (GNRFET). The results illustrate that the GNRFET under high temperature (HT-GNRFET) has the highest cut-off frequency, lowest sub-threshold swing, lowest intrinsic delay and power delay product compared with low-temperature GNRFET (LT-GNRFET) and medium-temperature GNRFET (MT-GNRFET). Besides, the LT-GNRFET demonstrates the lowest off-state current and the highest ratios of Ion/Ioff, average velocity and mobile charge. In addition, the LT-GNRFET has the highest gate and quantum capacitances among three aforementioned GNRFETs.
کلیدواژه‌های انگلیسی مقاله
نویسندگان مقاله m اکبری eshkalak | m akbari eshkalak
roudsar
نشانی اینترنتی http://ijeee.iust.ac.ir/browse.php?a_code=A-10-1625-4&slc_lang=fa&sid=en
فایل مقاله اشکال در دسترسی به فایل - ./files/site1/rds_journals/446/article-446-333725.pdf
کد مقاله (doi)
زبان مقاله منتشر شده en
موضوعات مقاله منتشر شده 2-Semiconductor Devices
نوع مقاله منتشر شده Research Paper
برگشت به: صفحه اول پایگاه   |   نسخه مرتبط   |   نشریه مرتبط   |   فهرست نشریات