این سایت در حال حاضر پشتیبانی نمی شود و امکان دارد داده های نشریات بروز نباشند
International Journal of Nanoscience and Nanotechnology (IJNN)، جلد ۲۰، شماره ۳، صفحات ۲۰۹-۲۱۷
عنوان فارسی
چکیده فارسی مقاله
کلیدواژه‌های فارسی مقاله
عنوان انگلیسی A Simulation Study of Temperature Variation Effects on I-V Characteristics of CNTFET
چکیده انگلیسی مقاله    In this paper we present a simulation study of temperature variation effects on I-V characteristics in Carbon Nanotube Field Effect Transistor. The study is carried out considering different CNTFET models proposed in the literature in order to identify the one more easily implementable in simulation software for electronic circuit design. At first we consider a compact, semi-empirical model, already proposed by us, performing I-V characteristic simulations at different temperatures. Our results are compared with those obtained with two other models: the numerical FETToy model and the Stanford-Source Virtual Carbon Nanotube Field-Effect Transistor model (VS-CNFET), obtaining I-V characteristics comparable with those of two examined models, but with CPU calculation times much lower.
کلیدواژه‌های انگلیسی مقاله CNTFET,Modelling,Device Simulation,I-V characteristics,temperature effects,Verilog-A,Computer Aided Design
نویسندگان مقاله Roberto Marani |
Institute of Intelligent Industrial Technologies and Systems for Advanced Manufacturing (STIIMA), National Research Council of Italy

Anna Gina Perri |
Electronic Devices Laboratory, Department of Electrical and Information Engineering, Polytechnic University of Bari, Italy

نشانی اینترنتی https://www.ijnnonline.net/article_725706_3cb2a73d394301bb65cb6f411ae47e67.pdf
فایل مقاله فایلی برای مقاله ذخیره نشده است
کد مقاله (doi)
زبان مقاله منتشر شده en
موضوعات مقاله منتشر شده
نوع مقاله منتشر شده
برگشت به: صفحه اول پایگاه   |   نسخه مرتبط   |   نشریه مرتبط   |   فهرست نشریات