این سایت در حال حاضر پشتیبانی نمی شود و امکان دارد داده های نشریات بروز نباشند
مهندسی مکانیک، جلد ۲۵، شماره ۱۱۱، صفحات ۵-۱۰
عنوان فارسی شبیه‌سازی و تحلیل رفتار مکانیکی میکروسنسور فشار پیزورزیستیوی
چکیده فارسی مقاله سنسورهای میکروالکترومکانیکی فشار به‌دلیل سهولت ساخت، هزینه‌ پایین، روش اندازه‌گیری ساده، محدوده گسترده فشار مورد اندازه‌گیری و دقت اندازه‌گیری بالا محبوبیت بسیاری دارند. در این پژوهش، رفتار مکانیکی یک میکروسنسور فشار پیزورزیستیوی به روش المان محدود شبیه‌سازی شده است. اعمال فشار به مرکز دیافراگم سبب ایجاد تنش‌های طولی و عرضی در پیزورزیستیوها می‌شود و تنش‌های ایجادشده در پیزورزیستیوها باعث تغییر مقاومت الکتریکی آنها می‌گردد. در این مقاله، ماکزیمم مقدار جابه‌جایی دیافراگم سنسور، تنش‌های طولی و عرضی و توزیع پتانسیل الکتریکی در پیزورزیستیوها به ازای اعمال فشار 14 مگاپاسکال مورد بررسی قرار گرفته است. همچنین ماکزیمم مقدار جابه‌جایی دیافراگم و تغییرات مقاومت الکتریکی به ازای اعمال فشارهای گوناگون بررسی شده است. با انجام تحلیل تنش ون‌مایزز روی سازه سنسور مشخص شد که حداکثر تنش ون‌مایزز ایجادشده در این سازه به ازای اعمال فشار 14 مگاپاسکال، 6 گیگاپاسکال است. همچنین با انجام تحلیل خستگی روی سنسور مذکور معلوم شد که این سنسور از عمر بسیار بالایی برخوردار است
کلیدواژه‌های فارسی مقاله
عنوان انگلیسی
چکیده انگلیسی مقاله
کلیدواژه‌های انگلیسی مقاله
نویسندگان مقاله محمد طماسبی پور | طماسبی pour
عضو هیات علمی دانشگاه تهران
سازمان اصلی تایید شده: دانشگاه تهران (Tehran university)

مهرزاد مدرس |
دانشجوی کارشناسی ارشد، دانشگاه تهران، تهران
سازمان اصلی تایید شده: دانشگاه تهران (Tehran university)

مجتبی طوفان |
دانشجوی کارشناسی ارشد، دانشگاه تهران، تهران
سازمان اصلی تایید شده: دانشگاه تهران (Tehran university)

نشانی اینترنتی http://mmep.isme.ir/article_24634_931feb95259432e1e9d84b4cc7f26bc3.pdf
فایل مقاله اشکال در دسترسی به فایل - ./files/site1/rds_journals/1251/article-1251-358322.pdf
کد مقاله (doi)
زبان مقاله منتشر شده fa
موضوعات مقاله منتشر شده
نوع مقاله منتشر شده
برگشت به: صفحه اول پایگاه   |   نسخه مرتبط   |   نشریه مرتبط   |   فهرست نشریات