این سایت در حال حاضر پشتیبانی نمی شود و امکان دارد داده های نشریات بروز نباشند
International Journal of Nanoscience and Nanotechnology (IJNN)، جلد ۱۳، شماره ۳، صفحات ۲۸۳-۲۸۸
عنوان فارسی
چکیده فارسی مقاله
کلیدواژه‌های فارسی مقاله
عنوان انگلیسی Area Effect of Reflectance in Silicon ‎Nanowires Grown by Electroless Etching
چکیده انگلیسی مقاله This paper shows that the reflectance in silicon nanowires (SiNWs) can be optimized as a function of the area of silicon substrate where the nanostructure growth. SiNWs were fabricated over four different areas of silicon substrates to study the size effects using electroless etching technique. Three different etching solution concentrations of silver nitrate (AgNO3) and hydrofluoric acid (HF) at room temperature were used in the electroless etching process. Experiments showed that the reflectance in SiNWs can be decreased when the concentration of silver nitrate was optimized for a determinate size of silicon substrate.
کلیدواژه‌های انگلیسی مقاله
نویسندگان مقاله v velez |
department of electrical and computer engineering, university of central florida, ‎ p.o. box 32816, orlando, usa.‎

k sundaram |
department of electrical and computer engineering, university of central florida, ‎ p.o. box 32816, orlando, usa.‎

نشانی اینترنتی http://www.ijnnonline.net/article_27187_bae04df6681997d03c543cb46bb67895.pdf
فایل مقاله اشکال در دسترسی به فایل - ./files/site1/rds_journals/423/article-423-423231.pdf
کد مقاله (doi)
زبان مقاله منتشر شده en
موضوعات مقاله منتشر شده
نوع مقاله منتشر شده
برگشت به: صفحه اول پایگاه   |   نسخه مرتبط   |   نشریه مرتبط   |   فهرست نشریات