این سایت در حال حاضر پشتیبانی نمی شود و امکان دارد داده های نشریات بروز نباشند
فرآوری و نگهداری مواد غذایی، جلد ۹، شماره ۲، صفحات ۱۰۱-۱۱۰
عنوان فارسی تشخیص سیب‌زمینی‌های سالم از ناسالم با استفاده از امواج میکروویو
چکیده فارسی مقاله سابقه و هدف: سیب‌زمینی در طول دوره رشد و انبارمانی با آفت و خرابی‌های متعددی روبه‌رو می‌شود، که برخی از این خرابی‌ها در اثر شرایط محیطی و یا تنش‌های مکانیکی به وجود می‌آیند و این صدمات هیچ‌گونه اثری در سطح محصول باقی نمی‌گذارند اما بر کیفیت محصول تأثیر منفی می‌گذارند. برای تشخیص این خرابی‌ها، چندین روش موجود است که یکی از آنها به کارگیری امواج میکروویو است. لذا پژوهش حاضر با هدف امکان سنجی جداسازی سیب زمینی سالم از ناسالم بر مبنای مقدار ثابت دی‌الکتریک انجام شد. مواد و روش‌ها: برای تهیه نمونه‌های ناسالم، نمونه‌های اولیه در شرایط دمایی25درجه سانتی‌گراد و رطوبتی نسبی 40 درصد، درون کیسه‌های نایلونی به مدت 4 ماه نگهداری گردید تا از لحاظ ظاهری به کیفیت نامطلوب برسد. برای اندازه‌گیری امپدانس نمونه‌ها، از استوانه برنجی واقع در کانکتور به ابعاد1/13×6/20 میلی‌متر استفاده شد. امواج مخابراتی با فرکانس‌های بالا به سمت نمونه موردنظر فرستاده می‌شد که مقداری از این امواج توسط نمونه جذب‌شده و بقیه برگشت ‌داده می‌شوند. میزان جذب موج توسط نمونه، به جنس(بافت)، دمای نمونه و فرکانس موج اولیه بستگی دارد که با آنالیز آن می‌توان ثابت دی‌الکتریک نمونه را اندازه‌گیری نمود. در این تحقیق ثابت‌های دی‌الکتریک سه واریته سیب‌زمینی آگریا، آریندا و ساوالان با استفاده از سامانه خط انتقال اتصال کوتاه در پنج تکرار، دو سطح دمایی 0 و 25 درجه سانتی‌گراد و سه سطح فرکانسی 915، 1800 و 2450 هرتز اندازه‌گیری شدند. یافته‌ها: نتایج تجزیه واریانس نشان داد کلیه پارامترهای مستقل و اثرات متقابل آنها در سطح احتمال 1% معنی دار شده است. بررسی اثر متقابل دما و رقم نشان داد که بیشترین میزان ثابت دی‌الکتریک سیب‌زمینی‌های سالم برای رقم آریندا و دمای 25 درجه سانتی‌گراد، 17/59 و کمترین میزان ثابت دی‌الکتریک برای رقم آگریا و دمای صفر درجه سانتی‌گراد،73/52 حاصل شد. این در حالیست که برای سیب‌زمینی‌های ناسالم بیشترین میزان ثابت دی‌الکتریک برای رقم آریندا و دمای 25 درجه سانتی‌گراد،61/57 و کمترین مقدار برای رقم آگریا و دمای صفر درجه سانتی‌گراد،45/51 حاصل ‌شد. نتایج مربوط به اعمال سه سطح فرکانسی نشان داد، در فرکانس915 مگاهرتز بیشترین مقدار ثابت دی‌الکتریک سیب‌زمینی سالم در دمای 25 درجه سانتی‌گراد معادل31/59 و کمترین مقدار آن در فرکانس2450 مگاهرتز و دمای صفر درجه سانتی‌گراد، 30/53 است. نتیجه‌گیری: به طور کلی، برای سیب‌زمینی‌های ناسالم در تیمارهای متناظر، مقادیر میانگین ثابت دی‌الکتریک بین 1 الی 2 واحد کمتر است و با افزایش دما، ثابت دی الکتریک افزایش می‌یابد. اساسی‌ترین دلیل آن از دست‌دادن رطوبت (آبهای آزاد) در طی دوره انبارمانی ‌است. همچنین باتوجه به بافت ارقام مختلف سیب‌زمینی، ثابت دی‌الکتریک آریندا بیشتر از ساوالان و ساوالان بیشتر از آگریا است. براین اساس به منظور جداسازی کیفی محصول، بسته‌بندی و ... از این اختلاف ثابت‌های دی الکتریک، می‌توان به خوبی بهره‌برد.
کلیدواژه‌های فارسی مقاله امواج مخابراتی، ثابت دی الکتریک، دما، سیب‌زمینی، فرکانس،
عنوان انگلیسی Detection of Defected Potato Tubers from Intact One Using Microwave
چکیده انگلیسی مقاله Background and objectives: Potato faced with various pests and damages during growth and storage. Some of these damages caused by environmental conditions or different mechanical tensions. Although these damages do not have any traces on potato surface, but have bad effect on potato quality. There are some methods for determining these damages. One of these methods is applying microwave. Therefore, the aim of this research was the probability of recognition of healthy and unhealthy potato by using microwave, based on dielectric constant. Materials and methods: For preparing defected potato samples, healthy samples were stored in nylon bag at 25 0C and 40% relative air humidity for 4 months to get unfavorable surface quality. Also a 20.6 * 13.1 millimeter brazen cylindrical in connector were used for measuring the samples impedance. High-frequency wave telecom was sent to the given sample, some of these waves were absorbed by the sample and the rest were returned. The amount of wave absorption sent by the sample depended on the texture temperature and frequency of the initial wave. By analysis of this parameter, samples dielectric constant could be measured. In this research, for measuring dielectric constant of three varieties of Agria, Arinda and Savalan potato, short circuit transmission line system was used. Dielectric constants of both healthy and unhealthy potatoes were measured at two temperature levels of 0 0C and 25 0C and three frequency levels of 915, 1800, and 2450 MHz . Results: The results showed that different levels of temperature and frequency had significant difference (p< 0.01) on dielectric constant. Interaction effects of temperature and variety showed that maximum and minimum value of dielectric constant of healthy potato were 59.17 and 52.73 in Arinda at 25 0C and Agria at 0 0C respectively. Whereas maximum and minimum amount of this constant for unhealthy potato were 57.61 and 51.45 in Arinad at 25 0C and Agria at 0 0C, respectively. Results of frequency levels show that maximum amount of dielectric constant of healthy potato were 59.31 at 25 0C in 915 MHz and minimum amount of this constant were 53.30 at 0 0C in 2450 MHz. Conclusion: Generally, for unhealthy potatoes, the mean values of dielectric constant is 1-2 units lower than that of corresponding values. The dielectric constant increases with increasing temperature. Missing of moisture content in storage period is the main reason of this behavior. Also due to different texture of potato variety, Arinda, Savalan and Agria get the maximum score of dielectric constant respectively. Therefore, this character is very good option for quality sorting, packing and so on.
کلیدواژه‌های انگلیسی مقاله
نویسندگان مقاله علی ملکی |
عضو هیات علمی دانشگاه شهرکرد

محمد علی قضاوی |
عضو هیات علمی بازنشسته دانشگاه شهرکرد

فرزاد مهدیه بروجنی |
دانش آموخته گروه مهندسی مکانیک بیوسیستم

مهدی مرادی |
دانش آموخته کارشناسی ارشد دانشگاه شهرکرد

نیلوفر باغ وردانی |
دانش آموخته کارشناسی دانشگاه شهرکرد

نشانی اینترنتی http://ejfpp.gau.ac.ir/article_3997_45cc31d221a5d54a63f0960101b4781f.pdf
فایل مقاله اشکال در دسترسی به فایل - ./files/site1/rds_journals/997/article-997-597520.pdf
کد مقاله (doi)
زبان مقاله منتشر شده fa
موضوعات مقاله منتشر شده
نوع مقاله منتشر شده
برگشت به: صفحه اول پایگاه   |   نسخه مرتبط   |   نشریه مرتبط   |   فهرست نشریات