این سایت در حال حاضر پشتیبانی نمی شود و امکان دارد داده های نشریات بروز نباشند
Iranian Journal of Electrical and Electronic Engineering، جلد ۱۴، شماره ۲، صفحات ۱۴۳-۱۵۲
عنوان فارسی
چکیده فارسی مقاله
کلیدواژه‌های فارسی مقاله
عنوان انگلیسی Gallium Phosphide IMPATT Sources for Millimeter-Wave Applications
چکیده انگلیسی مقاله The potentiality of millimter-wave (mm-wave) double-drift region (DDR) impact avalanche transit time (IMPATT) diodes based on a wide bandgap (WBG) semiconductor material, Gallium Phosphide (GaP) has been explored in this paper. A non-sinusoidal voltage excited (NSVE) large-signal simulation method has been used to study the DC and high frequency characteristics of DDR GaP IMPATTs dsigned to operate at mm-wave atmospheric window frequencies such as 94, 140 and 220 GHz. Results show that the DDR GaP IMPATTs are capable of delivering significantly higher RF power at the above mentioned window frequencies as compared to the DDR IMPATTs based on the conventional narrow bandgap (NBG) base materials such as Si, GaAs and InP.
کلیدواژه‌های انگلیسی مقاله
نویسندگان مقاله | A. Acharyya
Department of Electronics and Communication Engineering, Cooch Behar Government Engineering College, Village: Harinchawa, Post Office: Ghughumari, District: Cooch Behar, West Bengal – 736170, India
Cooch Behar Government Engineering College

نشانی اینترنتی http://ijeee.iust.ac.ir/browse.php?a_code=A-10-428-3&slc_lang=en&sid=1
فایل مقاله اشکال در دسترسی به فایل - ./files/site1/rds_journals/446/article-446-639740.pdf
کد مقاله (doi)
زبان مقاله منتشر شده en
موضوعات مقاله منتشر شده 2-Semiconductor Devices
نوع مقاله منتشر شده Research Paper
برگشت به: صفحه اول پایگاه   |   نسخه مرتبط   |   نشریه مرتبط   |   فهرست نشریات