این سایت در حال حاضر پشتیبانی نمی شود و امکان دارد داده های نشریات بروز نباشند
Iranian Journal of Electrical and Electronic Engineering، جلد ۱۴، شماره ۲، صفحات ۱۷۰-۱۷۷
عنوان فارسی
چکیده فارسی مقاله
کلیدواژه‌های فارسی مقاله
عنوان انگلیسی Switched-Capacitor Dynamic Threshold PMOS (SC-DTPMOS) Transistor for High Speed Sub-threshold Applications
چکیده انگلیسی مقاله This work studies the effects of dynamic threshold design techniques on the speed and power of digital circuits. A new dynamic threshold transistor structure has been proposed to improve performances of digital circuits. The proposed switched-capacitor dynamic threshold PMOS (SC-DTPMOS) scheme employs a capacitor along with an NMOS switch in order to effectively reduce the threshold voltage of a PMOS transistor. The proposed structure improves the propagation delay of a circuit and is much suitable for those circuits with high switching factor. Post layout simulation results using TSMC 180 nm CMOS technology at 0.2V supply voltage shows 45% improvement in delay as well as 25% less power consumption at the cost of only 53% more occupied area.
کلیدواژه‌های انگلیسی مقاله
نویسندگان مقاله | M. Ashraf
Shahrood university of Technology
نشانی اینترنتی http://ijeee.iust.ac.ir/browse.php?a_code=A-10-2275-1&slc_lang=en&sid=1
فایل مقاله اشکال در دسترسی به فایل - ./files/site1/rds_journals/446/article-446-639743.pdf
کد مقاله (doi)
زبان مقاله منتشر شده en
موضوعات مقاله منتشر شده 2-Integrated Circuits: Digital, Analog
نوع مقاله منتشر شده Research Paper
برگشت به: صفحه اول پایگاه   |   نسخه مرتبط   |   نشریه مرتبط   |   فهرست نشریات