این سایت در حال حاضر پشتیبانی نمی شود و امکان دارد داده های نشریات بروز نباشند
International Journal of Engineering، جلد ۳۱، شماره ۲، صفحات ۲۷۰-۲۷۷
عنوان فارسی
چکیده فارسی مقاله
کلیدواژه‌های فارسی مقاله
عنوان انگلیسی A Simple General-purpose I-V Model for All Operating Modes of Deep Submicron MOSFETs
چکیده انگلیسی مقاله A simple general-purpose I-V model for all operating modes of deep-submicron MOSFETs is presented. Considering the most dominant short channel effects with simple equations including few extra parameters, a reasonable trade-off between simplicity and accuracy is established. To further improve the accuracy, model parameters are optimized over various channel widths and full range of operating voltages using a heuristic optimization algorithm. The obtained results demonstrate only 1.28% and 0.97% average error in IBM 0.13um CMOS technology for NMOS and PMOS, respectively, comparing with the accurate physically-based BSIM3 model. Furthermore, the tolerance of the model accuracy against parameters variation is investigated.
کلیدواژه‌های انگلیسی مقاله
نویسندگان مقاله Gholamreza Ardeshir |
Elect & Computer Engineering, Babol Nooshirvani University of Technology

Sepideh Valiollahi |
Electerical & Computer Engineeing, Babol University of Technology

نشانی اینترنتی http://www.ije.ir/article_73117_3b4c9587a59f551d194d7b7f70e6d543.pdf
فایل مقاله اشکال در دسترسی به فایل - ./files/site1/rds_journals/409/article-409-2061912.pdf
کد مقاله (doi)
زبان مقاله منتشر شده en
موضوعات مقاله منتشر شده
نوع مقاله منتشر شده
برگشت به: صفحه اول پایگاه   |   نسخه مرتبط   |   نشریه مرتبط   |   فهرست نشریات